ナノ構造誘起物性の制御と新機能シリコンデバイス

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 18063007
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 越田 信義 東京農工大学, 大学院・工学府, 特任教授 (50143631)
• 研究分担者: 白樫 淳一 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究, 准教授 (00315657) ; ジェローズ ベルナール 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究, 助教 (40343157)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2009
• キーワード: ナノ構造 / シリコン / 量子サイズ効果 / 発光 / 光集積 / 弾道電子 / 超音波放出

研究概要

量子サイズのシリコンで生じる機能について基礎と応用の検討を行い、以下の成果を得た。
(1)可視発光:高効率・高安定の赤・青色発光を実現し、青色発光が減衰時間の長い燐光を示すことを見いだした。関連して、光導電におけるキャリア増倍効果を観測した。
(2)弾道電子放出:真空中で並列電子線露光および超高感度撮像、気体中でXe分子の直接励起による真空紫外光発生、溶液中で水素生成および固体薄膜堆積、への応用可能性を明らかにした。
(3)超音波放出:デジタル駆動を適用し、オーディオ帯でも小型・薄型のスピーカーとして動作する見通しを得た。また、本素子が小動物の超音波交信機構の研究手段に有効であることを確認した。

研究成果

• [雑誌論文] Development of dry-processed silicon nano-dot planar cold cathode and its electron emission properties (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Hirano, M. Nanba, N. Egami, S. Yamazaki, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B28 ページ: C2B6-C2810
• [雑誌論文] (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, K. Sakemura, Y. Okuda, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B28 ページ: C2D11-C2D15
• [雑誌論文] Direct excitation of xenon by ballistic electrons emitted from nanocrystalline silicon planar cathode and vacuum-ultraviolet light emission (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ichihara, T. Hatai, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Soc. Information Display 18 ページ: 223-227
• [雑誌論文] Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced byphotoluminescence and its polarization memory (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Chouket, H. Elhouichet, H. Koyama, B. Gelloz, M. Oueslati, N. Koshida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518 ページ: S212-S216
• [雑誌論文] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, N Koshida
  • 雑誌名: J. Phys. Conf. Ser. 193 ページ: 012008-012011
• [雑誌論文] Scratching properties of nickel-iron thin film and silicon using atomic force microscopy (2009)
  • 著者名/発表者名: A.A. Tseng, J. Shirakashi, S. Nishimura, K. Miyashita, A. Notargiacomo
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 106 ページ: 044314
• [雑誌論文] Magnetoresistance properties of planar-type tunnel junctions with ferromagnetic nanogap system fabricated by electromigration method (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Tomoda, K. Takahashi, M. Hanada, W. Kume, S. Itami, T. Watanabe, J. Shirakashi
  • 雑誌名: IEEE Trans. Mag. 45 ページ: 3480-3483
• [雑誌論文] Avalanche multiplication of photo-carriers in nanometer-sized silicon dot layers (2009)
  • 著者名/発表者名: Y Hirano, K Okamoto, S Yamazaki, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 95 ページ: 063109-063111
• [雑誌論文] Effect of high-pressure water-vapor annealing on energy transfer in dye-impregnated porous silicon (2009)
  • 著者名/発表者名: A. Chouket, B. Gelloz, H. Koyama, H. Elhouichet1, M. Oueslati1, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Luminescence 129 ページ: 1332-1335
• [雑誌論文] Long-lived blue phosphorescence of oxidized and annealed nanocrystalline silicon (2009)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 94 ページ: 201903-2019005
• [雑誌論文] Enhanced output current density of an active-matrix high-efficiency electron emission device (HEED) array with 13. 75μm pixels (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B27 ページ: 735-739
• [雑誌論文] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Ichihara, T. Hatai, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B27 ページ: 772-774
• [雑誌論文] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing (2009)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 48 ページ: 04C119-1-5
• [雑誌論文] ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開 (2009)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 雑誌名: 応用物理 78 ページ: 329-332
• [雑誌論文] Micrometer-scale local-oxidation lithography using scanning probe microscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Nishimura, T. Ogino, J. Shirakashi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 715-717
• [雑誌論文] Local oxidation of Si surfaces by tapping-mode scanning probe microscopy: Size dependence of oxide wires on dynamic properties of cantilever (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Nishimura, T. Ogino, Y. Takemura, J. Shirakashi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 718-720
• [雑誌論文] Measurement of reaction current during atomic force microscope local oxidation of conductive surfaces capped with insulating layers (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Shimada, T. Yamada an J. Shirakashi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 768-770
• [雑誌論文] Scratch nanolithography on Si surface using scanning probe microscopy: Influence of scanning parameters on groove size (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Ogino, S. Nishimura, J. Shirakashi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 712-714
• [雑誌論文] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, H. Koyama, N. Koshida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 517 ページ: 376-379
• [雑誌論文] Stabilized porous silicon optical superlattices with controlled surface passivation (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Ghulinyan, B. Gelloz, T. Ohta, L. Pavesi, D.J. Lockwood, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 93 ページ: 061113-061115
• [雑誌論文] Improved Photoconduction Effects of Nanometer-sized Si dot multilayers (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Hirano, S. Yamazaki, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 3095-3098
• [雑誌論文] Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline poly-silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer (2008)
  • 著者名/発表者名: D. Sakai, C. Oshima, T. Ohta, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B26 ページ: 1782-1786
• [雑誌論文] Sub-30 nm parallel EB lithography using nano-Si planar ballistic electron emitter (2008)
  • 著者名/発表者名: A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B26 ページ: 2053-2057
• [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Negishi, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B26 ページ: 711-715
• [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, N Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B26 ページ: 716-719
• [雑誌論文] Acoustic wave manipulation by phased operation of two-dimensionally arrayed nanocrystalline silicon ultrasonic emitters (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, M. Sugawara, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 3123-3126
• [雑誌論文] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, M. Sato, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 2902-2905
• [雑誌論文] Highly efficient and stable photoluminescence of nanocrystalline porous silicon by combination of chemical modification and oxidation under high pressure (2007)
  • 著者名/発表者名: Gelloz, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 46 ページ: 3462-3465
• [雑誌論文] Energy transfer in porous-silico/laser-dye composite evidenced by polarization memory of photoluminescence (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Chouket, H. Elhouichet, M. Oueslati, H. Koyama, B. Gelloz, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 91 ページ: 211902/1-211902/3
• [雑誌論文] Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida
  • 雑誌名: physica status solidi (a) Vol.204 ページ: 2141-2144
• [雑誌論文] Control of tunnel resistance of nanogaps by field-emission-induced electromigration (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Kayashima, K. Takahashi, M. Motoyama, J. Shirakashi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 46 ページ: L907-L909
• [雑誌論文] Development of flexible electrochromic device with thin flm configuration (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Yoshimura, T. Sakaguchi, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 46 ページ: 3479-3481
• [雑誌論文] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode in atmospheric ambience (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, A. Kojima, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B25 ページ: 524-527
• [雑誌論文] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in liquid water and hydrogen generation effect (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, B. Gelloz
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 90 ページ: 163505-07
• [雑誌論文] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Negishi, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B25 ページ: 661-666
• [雑誌論文] Effect of bi-layer sructure on the long-term stability of nanocrystalline porous silicon ultrasonic emitter (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Watabe, Y. Honda, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 46 ページ: 6218-6221
• [雑誌論文] Effects of thermal effusivity in nanocrystalline porous silicon on long-term operation of thermally induced ultrasonic emission (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Watabe, Y. Honda, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 46 ページ: 3645-3647
• [雑誌論文] Maternal approaches to pup ultrasonic vocalizations produced by a nanocrystalline silicon thermo-acoustic emitter (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Uematsu, T. Kikusui, T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, N. Koshida, Y. Takeuchi, Y. Mori
  • 雑誌名: Brain Research 1163 ページ: 91-99
• [雑誌論文] Highly enhanced photoluminescence of as-anodized and electrochemically oxidized nanocrystalline p-type porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing (2006)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, N. Koshida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 406-409
• [雑誌論文] Highly enhanced efficiency and stability of photo- and electroluminescence of nano-crystalline porous silicon by high-pressure water vapor annealing (2006)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 45 ページ: 3462-3465
• [雑誌論文] Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing (2006)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 89 ページ: 191103-05
• [雑誌論文] Fast electrochromic effect obtained from solid-state inorganic thin film configuration with a carrier accumulation structure (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Yoshimura, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 88 ページ: 093509-11
• [雑誌論文] Acoustic emission characteristics of nanocrystalline porous silicon device driven as an ultrasonic speaker (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Tsubaki, T. Komoda, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 45 ページ: 3642-3644
• [雑誌論文] Tunable output directivity of thermally induced ultrasonic generator based on nanocrystalline porous silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: Y. Watabe, Y. Honda, N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 45 ページ: 7240-7242
• [雑誌論文] Wafer-compatible fabrication and characteristics of nanocrystalline silicon thermally induced ultrasound emitters (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Kihara, T. Harada, N. Koshida
  • 雑誌名: Sensors and Actuators A: Physical Vol.125 ページ: 422-428
• [雑誌論文] Appl. Phys. Lett. (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, T. Kikusui, N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 88 ページ: 043902-04
• [学会発表] Nanosilicon for advanced more-than-moore applications (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Symp. on Atom-Scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for‘More-than-Moore' &‘Beyond CMOS' Era
  • 発表場所: Southampton, UK.(Invited)
  • 年月日: 2010-03-02
• [学会発表] Structural and Optical Properties of Electropolymerized Poly(paraphenylene) vinylene Films on Si and Porous Si (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Djenizian, B. Gelloz, F. Dumur, C. Chassigneux, N. Koshida
  • 学会等名: ECS Transactions
  • 発表場所: Wien, Austria.
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si (2009)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
  • 学会等名: Ext. Abst. 2008 Int. Conf. Solid State Devices and Mater.
  • 発表場所: Sendai
  • 年月日: 2009-09-25
• [学会発表] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions as an active electrode (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: 5th Kurt Schwabe Int. Symp.
  • 発表場所: Erlangen, Germany.(Invited)
  • 年月日: 2009-05-26
• [学会発表] ナノシリコン電子源-電子加速機能と応用展開 (2009)
  • 著者名/発表者名: 越田信義, 太田敢行, B. Gelloz
  • 学会等名: 第6回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
  • 発表場所: 大阪(招待講演)
  • 年月日: 2009-03-04
• [学会発表] Sub-30-nm resolution parallel EB lithography based on a planar type Si nanowire array ballistic electron source (2009)
  • 著者名/発表者名: A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
  • 学会等名: on Alternative Lithographic Technologies
  • 発表場所: San Jose, CA, USA.
  • 年月日: 2009-02-25
• [学会発表] Development of efficient broadband digital acoustic device based on nanocrystalline silicon ultrasound emitter (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, A. Asami, B. Gelloz
  • 学会等名: IEDM Tech. Digest
  • 発表場所: San Francisco, USA.
  • 年月日: 2008-12-17
• [学会発表] Characteristics of thermo-acoustic nanocrystalline porous silicon ultrasound generator as a wide-band tweeter (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, A. Asami, N. Koshida
  • 学会等名: Abst Mater. Res. Soc. Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, USA.
  • 年月日: 2008-12-04
• [学会発表] Stabilization of porous silicon free-standing coupled optical microcavities by surface chemical modification (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, K. Murata, T. Ohta, M. Ghulinyan, L. Pavesi, D.J. Lockwood, N. Koshida
  • 学会等名: ECS Trans.
  • 発表場所: Honolulu, USA.
  • 年月日: 2008-10-14
• [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, B. Gelloz
  • 学会等名: Meet. Abstr. ECS 802
  • 発表場所: Honolulu, USA.(Invited)
  • 年月日: 2008-10-13
• [学会発表] Sound emission from nanocrystalline silicon device under operation of electroluminescence (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida
  • 学会等名: Ext. Abst. Int. Conf. Solid State Devices and Mater.
  • 発表場所: Tsukuba.
  • 年月日: 2008-09-25
• [学会発表] Optoelectronic effect of high-pressure water vapor annealing for nanocrystalline silicon films prepared by ion implantation (2008)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, A. Takeuchi, N. Koshida
  • 学会等名: 5th Int. Conf. on Group IV Photonics
  • 発表場所: Sorrento, Italy.
  • 年月日: 2008-09-18
• [学会発表] Hydrogen generation by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, N. Koshida
  • 学会等名: Tech. Digest 21th Int. Vac. Nanoelectron. Cof.
  • 発表場所: Wroclaw, Poland.
  • 年月日: 2008-07-15
• [学会発表] Porous silicon technology as a nanodevice platform (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
  • 発表場所: Mallorca, Spain.(Invited)
  • 年月日: 2008-03-12
• [学会発表] Acoustic Wave Manipulation by Phased Operation of Two-Dimensionally Arrayed Nanocrystalline Silicon Ultrasonic Emitters (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, M. Sugawara, N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tsukuba
  • 年月日: 2007-09-21
• [学会発表] Light-emissive nonvolatile memory based on nanocrystalline porous Si (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, Y. Yoshida, N. Koshida
  • 学会等名: 4th IEEE Int. Conf. on Group IV Photonics
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2007-09-20
• [学会発表] Cavity Effect in Nanocrystalline Porous Silicon Ballistic Lighting Device (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, M. Sato, N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tsukuba.
  • 年月日: 2007-09-19
• [学会発表] Photonic and related device applications of nano-crystalline silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, B. Gelloz
  • 学会等名: Active and passive Optical Components for Communications VII
  • 発表場所: Boston, USA(Invited)
  • 年月日: 2007-09-11
• [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, B. Gelloz
  • 学会等名: Optoelectronic and Photonic Mater. and Applications
  • 発表場所: London, UK(Invited)
  • 年月日: 2007-07-30
• [学会発表] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, N. Koshida
  • 学会等名: Int. Vac. Nanoelectron. Conf.
  • 発表場所: Chicago, USA
  • 年月日: 2007-07-10
• [学会発表] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, H. Koyama, N. Koshida
  • 学会等名: 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Marseille, France
  • 年月日: 2007-05-22
• [学会発表] ナノクリスタルSi発光デバイスの展望 (2007)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会第126回研究会
  • 発表場所: 東京(招待)
  • 年月日: 2007-04-26
• [学会発表] Functional properties of nanosilicon and its possible application to image devices (2006)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Display Workshop
  • 発表場所: Ohtsu(Invited)
  • 年月日: 2006-12-08
• [学会発表] Pronounced photonic effects of high-pressure water vapor annealing on nanocrystalline porous silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, T. Shibata, R. Mentek, N. Koshida
  • 学会等名: Mater. Res. Soc. Symp.
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 2006-11-30
• [学会発表] Synthesis and optical properties of silicon oxide nanowires (2006)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, Y. Coffinier, B. Salhi, N. Koshida, G. Patriarche, R. Boukherroub
  • 学会等名: Mater. Res. Soc. Symp.
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 2006-11-29
• [学会発表] Blue and Red Luminescence Bands of Nanocrystalline Porous Silicon Induced by High-Pressure Water Vapor Annealing (2006)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, N.. Koshida
  • 学会等名: Meet. Abst. Electrochem. Soc.
  • 発表場所: Cancun, Mexico
  • 年月日: 2006-10-31
• [学会発表] Functions and Device Applications of Quantum-sized Silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Yokohama(Invited)
  • 年月日: 2006-09-13
• [学会発表] Luminescence and related functions of nanocrystalline porous silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: International Conference on Optical and Optoelectronic Properties of Materials and Applications
  • 発表場所: Darwin, Australia(Invited)
  • 年月日: 2006-07-18
• [学会発表] 量子サイズナノシリコンの光・電子・音響・バイオ機能 (2006)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 東京(招待)
  • 年月日: 2006-05-12
• [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 総ページ数: 348
  • 出版者: Springer
• [図書] Luminescence and related properties of nanocrystalline porous silicon(ed. E. Kasper and C. Klingshirn, Semiconductor Quantum Structures) (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 総ページ数: 121-136
  • 出版者: Springer-Verlag
• [備考]
  • URL: http://www.tuat.ac.jp/~koslab/
• [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成 (2010)
  • 発明者名: 越田信義、太田敢行
  • 権利者名: 東京農工大学
  • 産業財産権番号: 特許特願2010-21463
  • 出願年月日: 2010-02-02
• [産業財産権] シリコン系青色発光材料の製造方法及びシリコン系青色発光材料 (2008)
  • 発明者名: 越田信義、Bernard Gelloz
  • 権利者名: 東京農工大学
  • 産業財産権番号: 特許特願2008-223583
  • 出願年月日: 2008-09-01
• [産業財産権] 電子源電極およびそれを用いた装置 (2006)
  • 発明者名: 越田信義、太田敢行
  • 権利者名: 東京農工大学
  • 産業財産権番号: 特許特願2006-281866
  • 出願年月日: 2006-10-16