| 研究課題/領域番号 |
18063013
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| 研究分担者 |
堀 勝 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80242824)
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| 連携研究者 |
高木 信一 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (30372402)
益 一哉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (20157192)
宮崎 誠一 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
田畑 仁 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00263319)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| キーワード | 電子デバイス / 半導体超微細化 / デバイス設計・製造プロセス・超薄膜 / ナノ材料 |
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| 研究概要 |
シリコンULSIにおいて、基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上技術に限界が見えはじめ、デバイスにおける材料物性的限界、種々な揺らぎによる精度・性能限界、集積度増加による発熱量・消費電力の限界等が顕在化することで、デバイスのインテグレーションや高性能化が困難になりつつある。本研究領域の目的は、『ポストスケーリング技術』として、シリコンULSIの技術開発に対し、従来存在しなかった全く新しい指導原理を導入するものであり、本研究では各研究項目に研究リーダーを置き、リーダーは適切に研究班を運営するとともに有機的な連携を図り、また、領域代表者はその総括を行った。
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