研究課題
トップダウン型の手法による半導体デバイスの微細化・高性能化が極限にまで進みつつあり、デバイス動作の物理的限界を迎えようとしている現在、革新的なボトムアップ型ナノデバイス開発技術の確立、および従来にない高次機能や新規物性を発現する材料の開発、更にはシリコン系材料との融合・複合化による既存半導体デバイスのさらなる性能向上がのぞまれている。このような状況を踏まえて、我々は自己組織化プロセスを利用した、新しいナノ構造形成技術の開発とナノデバイスの構築を目指し研究を推進している。また、省エネルギー、高集積化、高速演算を可能にする次世代エレクトロニクスの有望な基幹材料として、電気双極子秩序(強誘電性)とスピン秩序(強磁性)を単一相の中で融合したマルチフェロイック物質の創製を行うとともに、シリコン系材料との融合による高次機能調和デバイスの開発を目指している。PLD手法によるZnOおよびSiナノワイヤ合成を実施した。一次元ナノ構造体(ナノワイヤやナノロッド)においては、その低次元性による量子閉じ込めの発現が期待できるために、近年、基礎学術・応用の両面において、盛んに研究が行われている。我々は、半導体Siおよび透明半導体物質ZnOナノワイヤの作製とそれらを用いたナノデバイスの開発を進めた。室温マルチフェロ材料の開発とヘテロ素子応用を試みた。我々は前年度までに、ガーネットフェライト薄膜において、基板との格子不整合による面内引張り歪効果を導入することにより、室温で双極子ースピン秩序が同時発現することを明らかにした。
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