| 研究概要 |
ポストスケーリングテクノロジーによる次世代Si系デバイスの高性能化には新材料と新構造の導入が必須であり,デバイス内部にはSiとそれ以外の材料との異種接合が多用されることになる.さらに,デバイスサイズはナノスケール化されるため,伝導キャリアに対するこれら種々の界面の影響が揺らぎを含めて極めて重要となり,デバイス高集積化・高性能化の限界要因になる可能性がある.
本研究では,評価技術開発を含めたナノスケール界面物性の評価,界面準位の数とエネルギー準位の揺らぎ評価,これら揺らぎによるデバイスの雑音への影響などを実験的に解明し,界面物性揺らぎと雑音に関する学術的寄与と共に,次世代高性能Si系デバイス開発に資する.
|
