強磁性シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング

2008 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 18063018
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 宮尾 正信 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2009
• キーワード: 電子デバイス・機器 / 集積回路 / スピントロニクス / シリコンゲルマニウム

研究概要

Si集積回路(Si-ULSI)が直面しているスケーリング限界の打破を目指して、SiGeヘテロ半導体をULSIに活用する研究が盛んに行われている。この様なヘテロ半導体に、「スピン機能」をも導入する事が出来れば、デバイス性能は飛躍的に向上し、21世紀のユビキタス情報通信に対応した未来型ULSIの創製が可能となる。我々はそのブレークスルーを、スピン偏極型強磁性シリサイドをソース(S)/ドレイン(D)としたスピントランジスタに求め、研究を行っている。

研究成果

• [雑誌論文] Ferromagnetism and Electronic Structures of Nonstoichiometric Heusler-Alloy Fe3-xMnxSi Epilayers Grown on Ge(111) (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Hamaya, H. Itoh, O. Nakatsuka, K. Ueda, K. Yamamoto, M. Itakura, T. Taniyama, T. Ono, and M. Miyao
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. Vol.102, No.13 ページ: 13204-1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low- Temperature Molecular Beam Epitaxy of a Ferromagnetic Full-Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Ueda, K. Hamaya, K. Yamamoto, Y. Ando, T. Sadoh, Y. Maeda, and M. Miyao
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. Vol.93, No.11 ページ: 112108-1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial Ferromagnetic Fe3Si/ Si(111) Structures with High-Quality Heterointerfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Hamaya, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, T. Sadoh, and M. Miyao
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. Vol.93, No.13 ページ: 132117-1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomically controlled hetero-epitaxy of Fe3Si/SiGe for spintronics application (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Miyao , K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda
  • 雑誌名: Thin Solid Films Vol.517, No.1 ページ: 181-183
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Ueda, T. Sadoh, Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
  • 雑誌名: Thin Solid Films Vol.517, No.1 ページ: 422-424
  • 査読あり
• [学会発表] Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV- Semiconductor Spintronic Applications (invited) (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Nozaki, K. Matsuyama, H. Itoh, and Y. Maeda
  • 学会等名: IUMRS-ICA, ZI-4
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 20081209-13
• [学会発表] Advanced Silicon Based Heterostructure Technologies for Future Devices (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Miyao
  • 学会等名: The 21st Century COE
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20071015-17
• [学会発表] RBS study of epitaxial growth of ferromagnetic Fe3Si on Ge (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, K. Ueda, T. Sadoh, M. Miyao, and Y. Maeda
  • 学会等名: European MRS 2007 Spring Meeting, B-13-1
  • 発表場所: Strasburg, France
  • 年月日: 20070528-0601
• [学会発表] Atomically Controlled Hetero-Epitaxy of Fe3Si/SiGe for Spintronics Application (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Miyao, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Andoh, and Y. Maeda
  • 学会等名: ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, S7-I27
  • 発表場所: Marseille, France
  • 年月日: 20070520-24
• [学会発表] Recent Progress in Low-Temperature Epitaxy of Silicon Based Heterostructures for Novel Devices (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Miyao, H. Kanno, K. Ueda and T. Sadoh
  • 学会等名: 2007 MRS Spring Meeting, F8-3
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 20070409-13
• [備考] 第68回応用物理学会学術講演会(於 北海道工大)講演奨励賞受賞:安藤裕一郎,5p-Q-2,「Fe3SiGeヘテロエピタキシャル成長層の軸配向性の成長温度依存性の考察」
• [備考] 第54回応用物理学関係連合講演会(於 青山学院大学)講演奨励賞受賞:上田公二, 29a-P6-4,「Fe3Si/SiGeヘテロエピタキシャル成長に与える基板効果」