研究課題
特定領域研究
Si集積回路(Si-ULSI)が直面しているスケーリング限界の打破を目指して、SiGeヘテロ半導体をULSIに活用する研究が盛んに行われている。この様なヘテロ半導体に、「スピン機能」をも導入する事が出来れば、デバイス性能は飛躍的に向上し、21世紀のユビキタス情報通信に対応した未来型ULSIの創製が可能となる。我々はそのブレークスルーを、スピン偏極型強磁性シリサイドをソース(S)/ドレイン(D)としたスピントランジスタに求め、研究を行っている。
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すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (5件) 備考 (2件)
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