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2008 年度 実績報告書

放射光X線マイクロプローブによるナノデバイス材料・界面の物性評価

研究課題

研究課題/領域番号 18063019
研究機関(財)高輝度光科学研究センター

研究代表者

木村 滋  (財)高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門・ナノテクノロジー利用研究推進グループ, グループリーダー副主席研究員 (50360821)

研究分担者 坂田 修身  財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門・表面構造チーム, チームリーダー主幹研究員 (40215629)
田尻 寛男  財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門・表面構造チーム, 研究員 (70360831)
今井 康彦  財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門・ナノ先端計測支援チーム, 研究員 (30416375)
キーワードX線回折 / 界面物性 / 薄膜 / シンクロトロン放射光 / 歪み / 微小領域
研究概要

平成20年度は、高分解能マイクロX線回折装置の高度化を推進するとともに、特定領域内連携研究を積極的に推進した。以下にその概要を記す。
1. 高分解能マイクロX線回折装置の高度化
(1)新型ゾーンプレートの導入によるビームサイズの微細化 : ビームサイズの更なる縮小を目的に、新型Ta製位相ゾーンプレート(ZP)を導入した。この位相ZPは、直径160μm,最外輪帯幅60nm, Ta厚800nm, 焦点距離74.4mm(@10keV)である。今回、梁構造を導入することにより、従来のZPとTaの厚さが同じにも関わらず、最外輪帯幅を100nmから60nmに狭くすることを実現した。本ZP導入により、10keVのX線で、150nm(水平方向)×250nm(垂直方向)のビームサイズを実現した。
(2)2次元検出器(X線CCDカメラ)による回折測定の実現 : Photonic Science社製X-ray Imager VHRを高分解能マイクロX線回折装置に設置し、回折線を測定するための改良を行った。これにより、微小領域からの逆格子マップをこれまでの1/5の時間で測定することが可能となった。
(3)直線偏光素子の導入による垂直偏光の利用 : 高分解能マイクロX線回折装置で垂直偏光の放射光を利用可能にすることを目的として、透過型ダイヤモンド移相子の設計を行った。また、移相子として使用する高品質単結晶ダイヤモンドの最適仕様を決定し、作製した。
2. 特定領域内連携研究の推進
Direct Si Bonding基板の評価(A04班酒井、財満研究グループとの連携) 、SiGe酸化濃縮時における歪み緩和過程の評価(A04班渡部研究グループとの連携)、カーボンナノウォールの構造評価(A02班堀研究グループとの連携)などの特定領域内連携研究を推進した。

  • 研究成果

    (12件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (11件)

  • [雑誌論文] Depth Distribution of Ge Fraction in Very-Thin-SGOI Layer Using Total-External-Reflection X-ray Diffraction2008

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan 33

      ページ: 599-602

    • 査読あり
  • [学会発表] Direct Si Bonding基板の接合界面酸化膜消滅過程における結晶性変化2009

    • 著者名/発表者名
      加藤哲司
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学, 茨城
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] カーボンナノウォールの構造及び電子状態におけるフッ素不純物の影響2009

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学, 茨城
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] 高分解能マイクロX線回折装置の現状と応用研究2009

    • 著者名/発表者名
      今井康彦
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学, 東京
    • 年月日
      2009-01-12
  • [学会発表] Strain and interfacial defects in directly bonded Si substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohara
    • 学会等名
      IUMRS International Conference in Asia 2008
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      20081209-13
  • [学会発表] Interface and defect control for group IV channel engineering2008

    • 著者名/発表者名
      A. Sakai
    • 学会等名
      214th ECS Meeting
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      20081012-17
  • [学会発表] Characterization of Strain Relaxation Process during Ge Condensation by Synchrotron Microbeam X-ray Diffraction2008

    • 著者名/発表者名
      T. Inoue
    • 学会等名
      2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      20080923-26
  • [学会発表] Application of Synchrotron X-ray Diffraction Methods to Gate Stacks of Advanced MOS Devices2008

    • 著者名/発表者名
      T. Shimura
    • 学会等名
      213th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix, USA
    • 年月日
      20080518-23
  • [学会発表] Microstructures in Directly Bonded Si Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohara
    • 学会等名
      Fourth International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      20080511-14
  • [学会発表] Direct Si Bonding基板の微細構造2008

    • 著者名/発表者名
      大原悠司
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学, 愛知
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] Direct Silicon Bonding(DSB)基板の結晶性の評価2008

    • 著者名/発表者名
      豊田英二
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学, 愛知
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] 放射光X線マイクロビームによるSiGe酸化濃縮時における歪み緩和過程の局所領域評価2008

    • 著者名/発表者名
      井上智之
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学, 愛知
    • 年月日
      2008-09-03

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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