研究課題
特定領域研究
半導体集積回路の基本素子である金属-絶縁膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の技術開発において、これまでの技術の延命では達成困難な超高集積度、高性能・高機能性を追求し、実現するためには、デバイス中の各パーツの結晶構造や応力分布を解析し、最適な構造にすることが必要不可欠になってきている。そこで、SPring-8の高輝度放射光を用いたマイクロプローブX線技術を発展させ、ナノデバイス材料・界面のナノメーターレベルの微小領域に存在する歪や構造の評価を可能にする高分解能マイクロX線回折システムを開発した。
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すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (5件) 図書 (2件) 備考 (1件)
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