| 研究概要 |
(1)ヒドリド(ヒドロゲルミレン)タングステン錯体の合成と反応性
錯体Cp*(CO)_2(H)W=GeH{C(SiMe_3)_3}の合成に成功し,その結晶構造を決定した。この錯体はニトリル,ケトン,イソシアナート,イソチオシアナート等と容易に反応し,いずれも基質の不飽和結合に対するヒドロゲルミル化を経由した生成物を与えた。興味深いことに,メシチルイソシアナートとの反応によって生成する五員環キレート錯体は,穏やかな加熱によりゲルミリン錯体に収率よく変換された。
(2)ヒドリド(ヒドロゲルミレン)ルテニウム錯体の合成と反応性
ケイ素類縁体と同様の方法で,錯体Cp*(CO)(H)Ru=GeH{C(SiMe_3)_3}の合成に成功し,その結晶構造を決定した。この錯体はニトリルとの反応ではGe-N結合は形成されなかったが,ケトン,イソシアナート,イソチオシアナートとの反応では,Ge-OまたはGe-S結合の形成を伴うヒドロゲルミル化を経由する生成物を高収率で与えた。
(3)水素架橋ビス(シリレン)タングステン錯体と極性分子との反応
以前合成を報告した水素架橋ビス(シリレン)タングステン錯体の反応性の研究を行った。その結果,この錯体はアルコールまたはフェノールと室温で容易に反応し,水素の発生を伴ってアルコキシ基またはフェノキシ基で架橋されたビス(シリレン)錯体をほぼ定量的に与えた。一方,この錯体は様々なケトンとも容易に反応し,C=0結合への1,2-ヒドロシリル化が選択的に起こってやはりアルコキシ架橋ビス(シリレン)錯体を生成した。これらの結果は,この錯体の二つのケイ素を架橋している水素のヒドリド性が極めて高いことを示している。
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