| 研究課題/領域番号 |
18080002
|
|---|
| 研究機関 | 埼玉大学 |
|---|
研究代表者 |
明連 広昭 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20219827)
|
|---|
| 研究分担者 |
田井野 徹 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40359592)
|
|---|
| キーワード | 単一磁束量子論理回路 / マイクロストリップ線路 / ストリップ線路 / 磁気シールド構造 / 電子ビーム描画 |
|---|
| 研究概要 |
単一磁束量子論理回路において、将来、現在用いられている臨界電流密度が2.5kA/cm^2のNb標準プロセスから、100kA/cm^2以上のプロセスに移行するとセル寸法は現在の10分の1となり、集積度は100倍になると考えられる。このようなセルの中で高密度な受動配線を実現するためにはサブミクロン幅のマイクロストリップ線路やストリップ線路を作製し、実際のSFQパルスの高スループット伝送時における問題点を解決しておく必要がある。
我々は、サブミクロン幅のマイクロストリップ線路を実現するために比較的高い誘電率を持つAl_20_3やMgOを層間絶縁薄膜として利用することを検討している。さらに平成20年度よりSFQLSIチップの3次元実装を目指して、基板貫通のビア内へのめっき法によるNb超伝導配線形成技術に関する研究に着手した。
マイクロストリップ線路共振器構造を用いた共振ピークの観測を行った。これまでの所、マイクロストリップの細線化による顕著な特性劣化は観測されてい、ない。また、SFQLSIチップの3次元集積化を目指して行っている、有機溶剤を用いた無水めっきによるNb薄膜の形成に関する実験を行った。5価のNbCl_5から価数の減少および他のNb合金の形成が確認され、この方法による金属Nb薄膜の析出の可能性を確認した。今後は、不活性雰囲気中でNbの酸化を防ぎながらNb金属の析出を目指す。さらに、OPENセルを用いた高速信号処理回路の応用例を示した。デジタルDROSのFLL回路にSFQ論理回路を用いることにより高いSlew Rateを示すことをシミュレーションにより確認した。
|
