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(1)単一磁束量子論理回路において、将来、現在用いられている臨界電流密度が2.5kA/cm_2 のNb標準プロセスから、100 kA/cm_2以上のプロセスに移行するとセル寸法は現在の10 分の1となり、集積度は100 倍になると考えられる。このようなセルの中で高密度な受動配線による高スループット信号伝送を実現するために、サブミクロン幅のマイクロストリップ線路やストリップ線路を作製し、実際のSFQ パルスの高スループット伝送時における問題点を見出し、解決する。
(2)我々は、サブミクロン幅のマイクロストリップ線路を実現するために比較的高い誘電率を持つAl_2O_3やMgOを層間絶縁薄膜として利用することを検討する。従来のSiO_2 による層間絶縁薄膜と異なり反応性ドライエッチングを用いることができないので、デバイス作製方法も併せて検討を行う。
(3)さらに平成20年度よりSFQ LSI チップの3次元実装を目指して、基板貫通ビア内へのめっき法によるNb超伝導配線形成技術に関する研究に着手した。
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