二硼化マグネシウム超伝導接合技術の確立

2008 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 18080003
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 内藤 方夫 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 教授 (40155643)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2009
• キーワード: 超伝導材料・素子 / 低消費電力・高エネルギー密度 / テラヘルツ / 赤外材料・素子 / トンネル現象 / 単一光子検出

研究概要

本研究課題は、2001年に発見されたMgB2(Tc〜40K)を用いた超伝導接合の作製技術を確立し、「ポストニオブ」超伝導エレクトロニクスの基盤を築くことを目的とする。

研究成果

• [雑誌論文] Magneto-optical observation of magnetic flux in patterned MgB2 films (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Ishibashi, T. Kawata, A. Tsukada, H. Shibata, M. Naito, K. Sato
  • 雑誌名: Physica C Vol. 468 ページ: 1313-1315
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2007)
  • 著者名/発表者名: M. A. Tarasov, E. A. Stepantsov, M. Naito, A. Tsukada, D. Winkler, A. S. Kalabukhov, M. Y. Kupriyano
  • 雑誌名: J. Exp. Theor. Phys Vol. 105 ページ: 636-641
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Ueda, S. Saito, K. Semba, T. Makimoto, M. Naito
  • 雑誌名: Jap. J. Appl. Phys Vol. 46 ページ: L271-L273
  • 査読あり
• [雑誌論文] Grain boundary weak link in a-b plane in MgB_2 film (2006)
  • 著者名/発表者名: E. Stepantsov, M. Tarasov, M. Naito, A. Tsukada, D. Winkler
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett Vol. 89, Art. No. 213111
  • 査読あり
• [雑誌論文] MgB_2薄膜・接合作製の現状とデバイス応用への展望 (2006)
  • 著者名/発表者名: 内藤方夫
  • 雑誌名: 低温工学 41巻 ページ: 463-473
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz mixing in MgB_2 microbolometers
  • 著者名/発表者名: S. Cherednichenko, V. Drakinskiy, K. Ueda, M. Naito
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett Vol. 90, Art. No. 023507
  • 査読あり
• [学会発表] 分子線エピタキシー法によるAlB_2/MgB_2積層構造の作製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 石井林太郎、新原佳紘、内藤方夫
  • 学会等名: 第56回応用物理関係連合講演会
  • 発表場所: つくば大学
  • 年月日: 20090400
• [学会発表] MBE growth of MgB_2 (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Naito, R. Ishii
  • 学会等名: Superconducting SFQ VLSI Workshop (SSV2008)
  • 発表場所: Yokohama
  • 年月日: 20080300
• [学会発表] SNS接合のためのAlB2薄膜の作製 (2008)
  • 著者名/発表者名: 石井林太郎, 新原佳紘, 束田昭雄, 内藤方夫
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] 分子線エピタキシー法によるMgB2薄膜の作製 (2008)
  • 著者名/発表者名: 石井林太郎, 楢舘英知, 束田昭雄, 内藤方夫
  • 学会等名: 第55回応用物理関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学船橋キャンパス
  • 年月日: 2008-03-27