研究課題
基盤研究(S)
ナノスコピックプラズマプロセス制御の第一段階として、拡散プラズマ化学気相堆積 (CVD) 法により単独・孤立垂直配向単層カーボンナノチューブ(SWNT)を生成する。次に、 アルカリ - ハロゲン、原子内包C_(60)を含む準ペアフラーレンイオン等の斬新な異種イオン気体プラズマ、及びDNA、イオン液体、コロイド溶液中電解質プラズマを発生し、 この元になる空のSWNTに対して、超分子イオンをも含むプラズマイオン照射法を駆使することにより、電子ドナー・アクセプターのpn接合構造内包SWNT、強磁性金属内包SWNT、及びDNA内包SWNT、イオン液体内包SWNT、コロイド内包SWNTを創製する。また、当初計画には無かった二層カーボンナノチューブ(DWNT)を新たに対象とすることを発想して同様のプロセスを実践し、各種内包DWNTを創製する。最後に、それらの電気・磁気・光学特性の測定を通して、1次元伝導性、半導体・ダイオード特性、スピン・磁性、超伝導特性、発光及び光応答性、分子認識性等の炭素起源ナノバイオチューブ特有の新しい物性が発現することを明らかにする。
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Journal of the American Chemical Society Vol.130, No.25
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