| 研究課題/領域番号 |
18106001
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
竹田 美和 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20111932)
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| 研究分担者 |
田渕 雅夫 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90222124)
宇治原 徹 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60312641)
渕 真悟 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60432241)
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| キーワード | ヘテロ界面 / 結晶成長 / CTR散乱法 / X線構造解析 |
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| 研究概要 |
実験室系のX線発生装置(リガク・TTRIII)に多層膜集光ミラーおよびチャンネルカット非対称4結晶分光器を用いた集光系により、X線CTR散乱測定専用のシステムを立ち上げ、光学経路における様々なX線散乱によるノイズ成分を取り除くことにより、Photon Factoryでの測定と同程度のX線CTR散乱信号を得ることができた。かつ、さまざまな成長パラメータの変化による微小な構造変化も、極めて精度よく解析できることが確認された。
成長パラメータの変化によるヘテロ界面の構造変化と成長時の界面形成メカニズムは、Photon Factoryでの実験により、多くの定量的な情報を得ることが出来た。
一方、当初のもうひとつの目的である結晶成長のその場測定をこの実験室系X線CTR散乱測定装置において行うため、コンパクトな成長炉と制御系を設計製作してきたが、昨年末に完成、納品された。まず、室温での測定が上記のとおりの精度で行われることを確認した。更には、GaNの成長温度800℃の昇温時においてもSN比が室温に比べて遜色なく測定できることが分かった。成長用原料ガスを流すには、さらに防護施設が必要であるが、本装置の完成は、実験室系のX線CTR散乱測定装置と結晶成長装置が組み合わされ世界初の装置として、名古屋で開催されたAkasaki Symposiumおよび東京で開催されたMRS-Jで招待講演として報告された。
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