真のヘテロ界面構造とその形成

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 18106001
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
• 研究分担者: 田渕 雅夫 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 特任教授 (90222124) ; 宇治原 徹 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60312641) ; 渕 真悟 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (60432241)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2010
• キーワード: ヘテロ界面 / 結晶成長 / CTR散乱法 / X線構造解析

研究概要

本研究では、「埋もれた界面」構造を研究室レベルで評価できる高性能X線CTR散乱装置を開発し、一般に利用できる装置を構築した。界面構造の形成過程を「その場」で明らかにし、界面構造がデバイスに与える意味を明確に把握した。界面構造を制御し、デバイスの高性能化において、「界面構造制御」という新たな切りロを開拓した。

研究成果

• [雑誌論文] X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures system design and measurements (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi
  • 雑誌名: Materials Science and Engineering 巻: Vol.24 ページ: 012002
  • DOI: doi:10.1088/1757-899X/24/1/012002
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 巻: ol. 8, No.2 ページ: 294-296
  • DOI: doi:10.1002/pssc.201000508
  • 査読あり
• [雑誌論文] Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol.318 ページ: 1139-1142
  • DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.10.201
  • 査読あり
• [雑誌論文] X-ray characterization at growth temperatures of InxGa1-xN growth by MOVPE (2010)
  • 著者名/発表者名: G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol.318 ページ: 1143-1146
  • DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.11.051
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures-X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, M. Tabuchi, and A. Nakamura
  • 雑誌名: Journal of Physics : Condensed Matter 巻: Vol.22 ページ: 474011
  • DOI: doi:10.1088/0953-8984/22/47/474011
  • 査読あり
• [雑誌論文] Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, K. Ninoi, and M. Tabuchi
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.34, No.4 ページ: 585-588
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Tabuchi, A. Mori, H. Tameoka, K. Fujii, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.34, No.4 ページ: 593-595
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.34, No.4 ページ: 589-5918
  • 査読あり
• [雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semiconductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.33 ページ: 547-550
  • 査読あり
• [雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.33 ページ: 591-594
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Tabuchi, Y. Ohtake, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.32, No.9 ページ: 219-222
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study on buried interfaces in semiconductor heterostructures by X-ray reflectivity (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda and M. Tabuchi
  • 雑誌名: Transactions of the Materials Research Society of Japan 巻: Vol.32, No.1 ページ: 187-192
  • 査読あり
• [雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda and M. Tabuchi
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: Vol.83 ページ: 012002
  • DOI: doi:10.1088/1742-6596/83/1/012002
  • 査読あり
• [雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: Vol.83 ページ: 012031
  • DOI: doi:10.1088/1742-6596/83/1/012031
  • 査読あり
• [学会発表] X-Ray Characterization of Semiconductor Heterostructures at the Atomic-Level (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda and M. Tabuchi
  • 学会等名: 2010 International Symposium on Crystal Growth
  • 発表場所: Hanyang University, Seoul, Korea
  • 年月日: 20101107-09
• [学会発表] X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of InxGa1-xN grown by MOVPE (2010)
  • 著者名/発表者名: G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 20100808-13
• [学会発表] New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 20100808-13
• [学会発表] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 学会等名: The 37th International Symposium Compound Semiconductors(ISCS2010)
  • 発表場所: FrC3-7, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
  • 年月日: 20100531-0604
• [学会発表] Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
  • 学会等名: 10th Akasaki Research Center Symposium
  • 発表場所: Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, H. Kamiya, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
  • 学会等名: 9th Akasaki Research Center Symposium
  • 発表場所: Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
  • 年月日: 2010-03-12
• [学会発表] Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 学会等名: 2009 Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
  • 発表場所: MA2. 4, Newport Beach, CA, USA
  • 年月日: 20090510-14
• [学会発表] X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature Effects (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 学会等名: 2008 Indium Phosphide and Related Materials 2008(IPRM2008)
  • 発表場所: WeP6, Versailles, France
  • 年月日: 20080525-29
• [学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, and M. Tabuchi
  • 学会等名: 8th Akasaki Research Center Symposium
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2008-11-20
• [学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
  • 学会等名: The 15th International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
  • 発表場所: o06, Salt Lake City, Utah, USA
  • 年月日: 20070812-17
• [学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
  • 学会等名: 2007 Indium Phosphide and Related Materials 2007(IPRM2007)
  • 発表場所: PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
  • 年月日: 20070514-18
• [備考]
  • URL: http://mars.numse.nagoya-u.ac.jp/f6/indexf6j.html