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2010 年度 研究成果報告書

真のヘテロ界面構造とその形成

研究課題

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研究課題/領域番号 18106001
研究種目

基盤研究(S)

配分区分補助金
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関名古屋大学

研究代表者

竹田 美和  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)

研究分担者 田渕 雅夫  名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 特任教授 (90222124)
宇治原 徹  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60312641)
渕 真悟  名古屋大学, 工学研究科, 助教 (60432241)
研究期間 (年度) 2006 – 2010
キーワードヘテロ界面 / 結晶成長 / CTR散乱法 / X線構造解析
研究概要

本研究では、「埋もれた界面」構造を研究室レベルで評価できる高性能X線CTR散乱装置を開発し、一般に利用できる装置を構築した。界面構造の形成過程を「その場」で明らかにし、界面構造がデバイスに与える意味を明確に把握した。界面構造を制御し、デバイスの高性能化において、「界面構造制御」という新たな切りロを開拓した。

  • 研究成果

    (26件)

すべて 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (14件) (うち査読あり 14件) 学会発表 (11件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures system design and measurements2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering

      巻: Vol.24 ページ: 012002

    • DOI

      doi:10.1088/1757-899X/24/1/012002

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2011

    • 著者名/発表者名
      H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: ol. 8, No.2 ページ: 294-296

    • DOI

      doi:10.1002/pssc.201000508

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010

    • 著者名/発表者名
      K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Vol.318 ページ: 1139-1142

    • DOI

      doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.10.201

    • 査読あり
  • [雑誌論文] X-ray characterization at growth temperatures of InxGa1-xN growth by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Vol.318 ページ: 1143-1146

    • DOI

      doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.11.051

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures-X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, M. Tabuchi, and A. Nakamura
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Condensed Matter

      巻: Vol.22 ページ: 474011

    • DOI

      doi:10.1088/0953-8984/22/47/474011

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, K. Ninoi, and M. Tabuchi
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.34, No.4 ページ: 585-588

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures2009

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, A. Mori, H. Tameoka, K. Fujii, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.34, No.4 ページ: 593-595

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator2009

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.34, No.4 ページ: 589-5918

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semiconductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.33 ページ: 547-550

    • 査読あり
  • [雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.33 ページ: 591-594

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering2007

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, Y. Ohtake, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.32, No.9 ページ: 219-222

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Study on buried interfaces in semiconductor heterostructures by X-ray reflectivity2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda and M. Tabuchi
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: Vol.32, No.1 ページ: 187-192

    • 査読あり
  • [雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda and M. Tabuchi
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: Vol.83 ページ: 012002

    • DOI

      doi:10.1088/1742-6596/83/1/012002

    • 査読あり
  • [雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: Vol.83 ページ: 012031

    • DOI

      doi:10.1088/1742-6596/83/1/012031

    • 査読あり
  • [学会発表] X-Ray Characterization of Semiconductor Heterostructures at the Atomic-Level2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda and M. Tabuchi
    • 学会等名
      2010 International Symposium on Crystal Growth
    • 発表場所
      Hanyang University, Seoul, Korea
    • 年月日
      20101107-09
  • [学会発表] X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of InxGa1-xN grown by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      20100808-13
  • [学会発表] New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010

    • 著者名/発表者名
      K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      20100808-13
  • [学会発表] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010

    • 著者名/発表者名
      H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 学会等名
      The 37th International Symposium Compound Semiconductors(ISCS2010)
    • 発表場所
      FrC3-7, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
    • 年月日
      20100531-0604
  • [学会発表] Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
    • 学会等名
      10th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
    • 年月日
      2010-11-26
  • [学会発表] Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, H. Kamiya, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
    • 学会等名
      9th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
    • 年月日
      2010-03-12
  • [学会発表] Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement2009

    • 著者名/発表者名
      H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 学会等名
      2009 Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
    • 発表場所
      MA2. 4, Newport Beach, CA, USA
    • 年月日
      20090510-14
  • [学会発表] X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature Effects2008

    • 著者名/発表者名
      A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 学会等名
      2008 Indium Phosphide and Related Materials 2008(IPRM2008)
    • 発表場所
      WeP6, Versailles, France
    • 年月日
      20080525-29
  • [学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, and M. Tabuchi
    • 学会等名
      8th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2008-11-20
  • [学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007

    • 著者名/発表者名
      M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
    • 発表場所
      o06, Salt Lake City, Utah, USA
    • 年月日
      20070812-17
  • [学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007

    • 著者名/発表者名
      A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 学会等名
      2007 Indium Phosphide and Related Materials 2007(IPRM2007)
    • 発表場所
      PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
    • 年月日
      20070514-18
  • [備考]

    • URL

      http://mars.numse.nagoya-u.ac.jp/f6/indexf6j.html

URL: 

公開日: 2013-07-31  

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