研究課題
本研究は、低次元プラズモンの分散制御を利用した新規な電磁波伝播モード型回路の創出をめざすものである。研究最終年次にあたる今年度は、本研究の集大成として「電子回路の物質化」という新しい概念に基づくミリ波・テラヘルツ波回路設計論の創出をめざして、以下のとおり実施した。1.プラズモン分散制御による電磁波伝播モード型回路機能の検証「周波数変換」機能:プラズモン共鳴型エミッターが有する高次高調波発生と異方性透過・反射膜の帯域通過フィルタ機能を利用した周波数逓倍動作の実現をめざす。昨年度実施の数値解析・設計・試作(代表者:尾辻、分担者:Ryzhii)に続き、InPプロセスによる試作デバイスの評価・検証(代表者:尾辻、連携者:末光)を行った。「時間論理」機能:2次元プラズモンをゲートバイアス制御によって回折格子状に形成するとプラズモンモードの導波路となり、伝搬速度が著しく低下した遅波伝搬となる。かかる新概念回路の機能検証を目的として、昨年度実施の非線形伝送線路設計(分担者:楢原、分担者:Ryzhii)に基づいて、試作(連携研究者:末光)、評価(代表者:尾辻)を行った。「増幅」機能:グラフェンによる新概念レーザー光学励起下のグラフェンにおけるキャリア緩和・再結合過程とその結果もたらされる反転分布・誘導放射の実験検証に成功した成果をさらに発展させ、誘導放射の証拠となるポンピング閾値特性の観測に成功した。これらをふまえ、昨年度実施のレーザー動作を果たす共振器構造の設計(代表者:尾辻、分担者:Ryzhii)に基づき、試作(連携者:末光)、評価・検証(代表者:尾辻)を行った。また、金属への周期開口による電場増強効果とグラフェンのTHz帯増幅を活用した増幅器を考案し、電磁界解析により効果を予測した。(分担者:佐野)
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FNST : Frontiers in Nanoscale Science and Technology Workshop
巻: 1 ページ: P-14
Jpn.J.Appl.Phys.
巻: 50 ページ: 014104-1-014104-9
Progress In Electromagnetics Research Letters
巻: 21 ページ: 79-88
J.Appl.Phys.
巻: 109 ページ: 064508-1-064508-10
2011年電子情報通信学会電子デバイス研究会特別ワークショップ「ナノチューブ/グラフェンエレクトロニクス:成長からデバイス応用まで」講演予稿集
巻: 1 ページ: 123-135
未踏科学技術協会第59回特別講演会材料イノベーションシリーズ第11回講演予稿
巻: 1 ページ: 1-35
巻: 22 ページ: 29-38
OTST : Int.Conf.on Optical Terahertz Science and Technology
巻: 1 ページ: TuA3
巻: 1 ページ: MF41
PIERS : Progress in Electromagnetics Research Symposium
巻: 1 ページ: 2A3-1
巻: 1 ページ: 3P2-4
巻: 1 ページ: 3P2-5
巻: 1 ページ: 3P2-7
巻: 1 ページ: 3P2-8
電子情報通信学会総合大会予稿集
巻: 1 ページ: C-4-4
春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
巻: 1 ページ: 25p-KF-1
巻: 1 ページ: 26a-BX-2
巻: 1 ページ: 27a-KQ-6
J.Phys. : Condens.Matter
巻: 2 ページ: 145302-1-145302-8
SPIE Defence Security and Sensing 2010, Conf.7671 : Terahertz Physics, Devices, and Systems IV : Advanced Applications in Industry and Defense, Proc.SPIE
巻: 7671 ページ: 767102-1-767102-12
J.Infrared Milli.Terahz Waves
ページ: 9647-7-1-9647-7-11
DOI:10.1007/S10762-010
CLEO : Conf.on Lasers and Electrooptics Dig.
巻: 1 ページ: CMP3-1-CMP3-2
巻: 49 ページ: 054301-1-054301-7
ISCS : Int.Symp.Compound Semicond.Dig.
巻: WED3-5 ページ: 274
ISTESNE : Int.Symp.on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics Extended Abstracts
巻: 1 ページ: 16
DRC : Device Research Conf.Dig.
巻: 1 ページ: 167-168
VCIAN : Villa Conference on Interactions Among Nanostructures Abstracts
巻: 1 ページ: 22
巻: 1 ページ: 31
Comptes Rendus Physique
巻: 11 ページ: 421-432
J.Infrared Milli.Terahz.Waves
ページ: 9677-1-1-9677-1-11
doi:10.1007/s10762-010
IEICE Trans.Electron.
巻: E93C ページ: 1286-1289
ICOOPMA : Int.Conf.on Optical, Optoelectronic Photonic Materials and Applications Abstracts
巻: 1 ページ: 60
Phys.Rev.B
巻: 82 ページ: 075419-1-075419-6
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves
巻: 1 ページ: Mo-P.53
巻: 1 ページ: Tu-C1.4
巻: 1 ページ: Tu-D3.5
巻: 1 ページ: Tu-P.25
巻: 1 ページ: Th-D1.1
ANM2010 : 3rd Int.Conf.on Advanced Nano Materials
巻: 1 ページ: ANMM169
巻: 1 ページ: ANMM269
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
巻: 1 ページ: 14a-B-7
巻: 1 ページ: 17a-F-1
巻: 1 ページ: 17a-F-2
信学会ソサエティ大会予稿集
巻: 1 ページ: CI-2-5
巻: 1 ページ: C-10-7
J.Infrared Milli.Terhaz.Waves
ページ: 9714-0-1-9714-0-17
doi:10.1007/S10762-010
巻: 16 ページ: 69-78
IEICE Electronics Express
巻: 7 ページ: 1188-1194
巻: 17 ページ: 85-93
SSDM : International Conference on Solide State Devices and Materials
巻: J3-5 ページ: 882-883
巻: F1-3 ページ: 87-88
EOS Annual Meeting
巻: 1 ページ: TOM2-3645-02
巻: 1 ページ: TOM2-4011-10
ISGD : Int.Symp.on Graphene Devices
巻: 1 ページ: 28-29
巻: 1 ページ: 80-81
ISGD : Int.Symp.Graphene Devices
巻: 1 ページ: 52-53
巻: 1 ページ: 50-51
巻: 1 ページ: 100-101
信学技報
巻: 110 ページ: 25-29
巻: 110 ページ: 31-34
巻: 110 ページ: 35-39
巻: 7 ページ: 1474-1479
Proc.Asia-Pacific Microwave Conference 2010
巻: 1 ページ: FR3G-49
Infrared Physics and Technology
ページ: 034-1-034-4
doi:10.1016/j.infrared.2010.12
Appl.Phys.Lett.
巻: 97 ページ: 262108-1-262108-3
Phys.Stat.Solidi.
巻: 8 ページ: 346-348
http//www.otsuji.riec.tohoku.ac.jp