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2006 年度 実績報告書

リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイス

研究課題

研究課題/領域番号 18106007
研究機関東京大学

研究代表者

田中 雅明  東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (30192636)

研究分担者 大矢 忍  東京大学, 大学院工学系研究科, 助手 (20401143)
中根 了昌  東京大学, 大学院工学系研究科, 特任助教 (50422332)
菅原 聡  東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教授 (40282842)
キーワードリコンフィギャラブル / ナノスピンデバイス / スピントランジスタ / スピンMOSFET / 強磁性半導体 / MnAs / GeFe / GaMnAs
研究概要

本研究では、従来の半導体デバイスでは不可能であったリコンフィギャラブルな機能をもつナノスピンデバイスを開発することを目指している。スピン自由度を有する新しい半導体デバイス構造を提案し、柔軟な情報処理機能、すなわちハードウェアを作製した後で機能を再構成(書き換える)することが可能(リコンフィギャラブル)な半導体デバイスを試作し、その動作を示すことを目的としている。今年度は、リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイス作製のための材料形成および物性機能の制御を目指した基礎研究を行う。特に、リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイスの構成要素であるIV族およびIII-V族べ一スの磁性半導体、IV族およびIII-V族半導体と整合性の良い強磁性金属材料開発の研究が中心である。
(1)MOS型スピントランジスタに向けた材料およびプロセス技術MOS型スピントランジスタ(スピンMOSFET)の試作に向けて、IIV族べ一ス磁性半導体GeFe, GeMnを作製しその強磁性を示した。また、FeSi, MnAsなど強磁性金属をソースドレイン電極にもつMOSFET作製プロセスを開発した。
(2)III-V族強磁性半導体(GaMnAs)をべースとしたヘテロ構造を形成し共鳴トンネル効果とトンネル磁気抵抗効果の同時発現を実証した。また強磁性転移温度の高温化に成功した。
(3)III-V半導体中にMnAsナノクラスターを埋め込んだ単結晶グラニュラー材料およびそのヘテロ構造の形成し、その磁気輸送特性を明らかにした。

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2007 2006

すべて 雑誌論文 (6件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Magneto-optical and magnetotransport properties of heavily Mn-doped GaMnAs2007

    • 著者名/発表者名
      S.Ohya, K.Ohno, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 112503/1-3

  • [雑誌論文] Spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (spin MOSFETs) and their integrated circuit applications2006

    • 著者名/発表者名
      S.Sugahara, M.Tanaka
    • 雑誌名

      ACM Transactions on Storage Vol.2 No.2

      ページ: 197-219

  • [雑誌論文] Magneto-optical properties of a new group IV ferromagnetic semiconductor Gel-xFex grown by molecular beam epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Shuto, M.Tanaka, S.Sugahara
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 99

      ページ: 08D516/1-3

  • [雑誌論文] "Schottky barrier height of ferromagnet/Si(001) junctions" Appl. Phys. Lett. 89,072110/1-3(2006).2006

    • 著者名/発表者名
      K.Sugiura, R.Nakane, S.Sugahara, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 072110/1-3

  • [雑誌論文] Preparation and characterization of ferromagnetic DO3-phase Fe3Si thin films on silicon-on-insulator substrates for Si-based spin-electronic device applications2006

    • 著者名/発表者名
      R.Nakane, M.Tanaka, S.Sugahara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 192503/1-3

  • [雑誌論文] Tunneling magnetoresistance of MnAs Thin film / GaAs / AlAs / GaAs : MnAs nanoclusters and its AlAs barrier thickness dependence2006

    • 著者名/発表者名
      Pham Nam Hai, M.Yokoyama, S.Ohya, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 242106/1-3

  • [図書] Proceedings of the 4th International Conference on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors2007

    • 著者名/発表者名
      Edited by M.Tanaka, K.M.Itoh, S.Katsumoto, M.Shirai, H.Munekata
    • 総ページ数
      350
    • 出版者
      Wiley VCH

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公開日: 2008-05-08   更新日: 2016-04-21  

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