| 研究概要 |
GaAs/AIGaAs2次元電子系,特にその量子ホール領域におけるコヒーレント輸送現象の研究を中心として研究を展開した.最終年度にあたる本年度の主な成果は以下のとおりである.
(1)スプリットゲートの中央に単一アンチドットを配した試料を作成し,量子ホール領域でのAB振動を詳細に測定した.アンチドット系のAB振動振幅の温度依存性から,エッジ状態の自己無撞着ポテンシャルを与えている遮蔽効果の温度依存性を明らかにした.また,ν=2の近傍におけるスピン分離エッジ状態への共鳴トンネル現象がν=2の低磁場側と高磁場側で顕著に異なることを見出した.
(2)1次元平面超格子におけるオープン軌道幾何学共鳴磁気抵抗振動効果における,ポテンシャル変調の高次項の影響を系統的に調べ,磁気抵抗振動の高次項との関係を明らかにした.
(3)マイクロホール素子を用いて,メゾスコピック超伝導体への磁束量子の出入りを空間分解して観測する手法を開発した.これを用いて正方形の超伝導体(A1)における磁束量子1本1本の進入と空間配置を観測した.理論的に予測されているアンチボルテックスを観測する試みとして,ピン止めサイトとして4隅に孔を開けた正方形試料における少数磁束系のふるまいを明らかにした.
(4)2次元電子系の量子ホール領域における熱電能の測定に関して,格子温度を一定に保って電子温度の勾配のみをつける手法を開発した.
(5)1次元変調を付加した高移動度2次元電子系における分数量子ホール効果の特徴的な消失に関してモデルを提唱した.
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