| 研究課題/領域番号 |
18206001
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
新田 淳作 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00393778)
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| 研究分担者 |
好田 誠 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00420000)
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| 連携研究者 |
大野 裕三 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (00282012)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| キーワード | 半導体 |
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| 研究概要 |
半導体InGaAsチャネルを細線化することによりスピン緩和が抑制されることを見出した。さらにゲート電圧によりスピン軌道相互作用の強さを制御することにより、二次元電子ガスの場合と比べて大幅にスピン緩和長が増加することを実験的に成功した。磁性半導体GaMnAs細線構造を作製し、磁気異方性定数及び磁化反転過程を評価した結果、人工的に磁気異方性を導入できることを確認した。3層GaMnAsダブルバリアトンネルトランジスタ構造の作製条件を最適化し、電流増幅率=コレクタ電流/ベース電流が適当なバイアス条件化で1以上となり増幅機能を得ることに成功した。
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