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2008 年度 実績報告書

ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発

研究課題

研究課題/領域番号 18206002
研究機関京都大学

研究代表者

川上 養一  京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)

研究分担者 船戸 充  京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
キーワード近接場分光 / フォトルミネッセンス / 発光ダイナミクス / 先進フォトセンシング / 窒化物半導体 / 量子ナノ構造 / 局在発光制御 / バイオセンシング
研究概要

本年度は、近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いて青色発光InGaN量子井戸のフォトルミネッセンスの詳細なマッピングを行った。発光強度が強い領域では、発光ピークエネルギーが低エネルギー側にある傾向が強く、局在中心からの発光を示している。一方、発光強度が弱く、非発光再結合中心が多いと予想される領域では、発光は高エネルギー側に位置しているが、これらの境界領域では二つの発光ピークに分離していることが見出された。これらのことから、非発光再結合中心の周りで組成変調が生じてそれがポテンシャル障壁として働き、非発光再結合中心への捕獲が抑制されていること、そしてそれが高効率発光の有力な機構となっていることが明らかにされた。一方、緑色発光InGaN量子井戸では、このようなanti-localization効果は見られず、局在中心と非発光中心のリンクが観測されており、高効率発光を実現する際の障害となっている。今後は、InリッチInGaNナノ構造のポテンシャル揺らぎの人為制御の可能性を探るとともに、非極性基板上に作製した構造において、早い輻射再結合寿命(面内拡散の抑制)の構造を実現して、SNOM分光による評価を加えていく必要があるものと考えている。また、今年度はファイバープローブに入射させた円偏光を近接場励起光とし、直線偏光子を回転させて試料からの変調発光信号をロックイン測定することで、偏光異方性のナノマッピングに成功した。この手法は、光スピントロニクスでも有用な評価ツールとなるであろう。さらに、高屈折率透明セラミックス材料を用いた表面プラズモンセンサーを試作した。この技術は、将来の近接場バイオセンシングにも適用可能であると考え、現在検討を進めている。

  • 研究成果

    (27件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (18件) 図書 (2件)

  • [雑誌論文] A polarization-modulation method for the near-field mapping of laterally grown InGaN samples2008

    • 著者名/発表者名
      R. Micheletto, D. Yamada, M. Allegrini, Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Optics Express 16

      ページ: 6889-6895

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations2008

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 103

      ページ: 093501/1-7

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nanoscopic recombination processes InGaN/GaN quantum wells emitting violet. blue, and green spectra2008

    • 著者名/発表者名
      A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Physical Review B 78

      ページ: 125317/1-7

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar In_xGa_<1-x>N/GaN quantum well active layers2008

    • 著者名/発表者名
      M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
    • 雑誌名

      Physical Review B 78

      ページ: 233303/1-4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 1

      ページ: 011106/1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet qauantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami. Y. Narukawa, T. Mukai
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

      ページ: 021126/1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Tenfold improved sensitivity using high refractive-index substrates for surface plasmon sensing2008

    • 著者名/発表者名
      R. Micheletto, K. Hamamoto, T. Fujii, Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

      ページ: 174104/1-3

    • 査読あり
  • [学会発表] Positive biexciton binding energy confined in a localized center formed in a single InGaN/GaN quantum disk2009

    • 著者名/発表者名
      Richard Bardoux, Akio Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, Akihiko Kikuchi, Katsumi Kishino
    • 学会等名
      JSAP the 56th spring Meeting
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
  • [学会発表] 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量2009

    • 著者名/発表者名
      小島一信, 船戸充, 川上養一, 野田進
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] 極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における発光の空間分布2009

    • 著者名/発表者名
      上田雅也, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] 半極性{11-22}GaNバルク基板への厚膜InGaNの成長2009

    • 著者名/発表者名
      井上大輔, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda, M. Funato
    • 学会等名
      DPG Spring Meeting (Invited)
    • 発表場所
      Dresden, Germany
    • 年月日
      2009-03-24
  • [学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
    • 学会等名
      SPIE Photonic West (Invited)
    • 発表場所
      San Jose, California, USA
    • 年月日
      2009-01-29
  • [学会発表] Monolithic Polychromatic InGaN Light-Emitting Diodes Based on Micro-facet Structures2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami, M. Funato
    • 学会等名
      The 3rd Intern. Conf. on Display and Solid State Lighting (Invited)
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      2009-01-21
  • [学会発表] Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures2008

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Meeting on Information Display, Intern. Display Manufacturing, Conf. and Asia Display 2008 (Invited)
    • 発表場所
      Ilsan, Korea
    • 年月日
      2008-10-16
  • [学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers2008

    • 著者名/発表者名
      M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai, Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern, workshop on Nitride Semiconductors, (Invited)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-09
  • [学会発表] Controlling optical anisotropy of semipolar and nonpolar InGaN auantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nasahama, T. Mukai
    • 学会等名
      Intern, workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-09
  • [学会発表] Highly efficient light emission based on plasmonics2008

    • 著者名/発表者名
      K. Okamoto, A. Scherer, Y. Kawakami
    • 学会等名
      2008 Japan-US Nanophotonics Seminar (Invited)
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • 年月日
      2008-09-25
  • [学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性2008

    • 著者名/発表者名
      上田雅也, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県春日井市
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] プラズモニクスに基づく発光増強のメカニズム2008

    • 著者名/発表者名
      岡本晃一, 川上養一
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県春日井市
    • 年月日
      2008-09-02
  • [学会発表] Highly Efficient Light-Emitting Devices based on Plasmonics2008

    • 著者名/発表者名
      K. Okamoto, Y. Kawakami, A. Scherer
    • 学会等名
      Gordon Research Conf. on Plasmonics
    • 発表場所
      Tilton, NH, USA
    • 年月日
      2008-07-30
  • [学会発表] Anisotropic stimulated emission and gan formation of non c plane InGaN laser diodes2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nasahama, T. Mukai
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Izu, Japan
    • 年月日
      2008-07-10
  • [学会発表] Surface plasmon enhanced highly efficient light-emitting devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Okamoto, A. Scherer, Y. Kawakami
    • 学会等名
      2nd Intern. Conf. on Functional materials and Devices (Invited)
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysis
    • 年月日
      2008-06-18
  • [学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, T Mukai
    • 学会等名
      The 3rd Intern. Conf. Smart Materials Structures Systems (Invited)
    • 発表場所
      Acireale, Sicily, Italy
    • 年月日
      2008-06-09
  • [学会発表] Anisotropic Stimulated Emission and Gain Formation ofNon c Plane InGaN Laser Diodes2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai
    • 学会等名
      8th Intern. Conf. on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2008-04-09
  • [図書] "Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters", Nitrides with Nonoolar Surfaces : Growth. Properties, and Devices edited by Tanya Paskova2008

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai (分担執筆)
    • 総ページ数
      385-411
    • 出版者
      WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
  • [図書] "Assessment and Modification of Recombination Dynamics in In_xGa_<1-x>N-Based Ouantum Wells". Advances in Light Emitting Materials. Materials Science Forum2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato (分担執筆)
    • 総ページ数
      249-274
    • 出版者
      Trans Tech Publications

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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