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遠紫外領域で発光する素子は、環境汚染物質の検出、分解、HeCdレーザー、エキシマレーザーの置き換え、光記録ディスクの高集積化などさまざまな応用が期待され、産業に及ぼす影響が計り知れない。六方晶窒化ホウ素(h-BN)は、遠紫外領域の半導体発光材料としての可能性を有しているが、その基礎物性(光学バンドギャップ、発光特性、伝導性等)は、未解明の部分が多い。本研究では、有機金属気相成長、分子線エピタキシャル成長法により、h-BNエピタキシャル薄膜の高品質化を実現し、その基礎物性を解明することを目的とする。
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