| 研究課題/領域番号 |
18206005
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| 研究分担者 |
中塚 理 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 講師 (20334998)
近藤 博基 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50345930)
小川 正毅 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (10377773)
酒井 朗 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20314031)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| キーワード | ゲルマニウム / 錫 / 水素 / 表面・界面物理 / 走査トンネル顕微鏡 / エピタキシャル成長 / 酸化現象 / ひずみ |
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| 研究概要 |
LSI用高移動度材料として期待されるGeおよび伸長歪Geチャネルの実現に向けて、Ge表面処理技術、および高品質Ge_(1-x)Sn_xバッファ層形成の基礎的指針となる、Ge表面初期酸化過程、およびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造を、主に走査トンネル顕微鏡を用いて観察評価した。酸素分圧に対する表面酸化とエッチングモードの競合、Ge表面へのSn導入による異方性再構成構造の形成を見出した。さらに、水素・重水素照射によるSnおよびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造の制御を実証し、Ge_(1-x)Sn_x層成長技術の構築に貢献する知見を得た。
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