| 研究概要 |
SiC(シリコンカーバイド)パワー半導体を用いた次世代パワーエレクトロニクスデバイス・機器システムを実用化する際に,必ず解決するべき問題となるスイッチングに伴うサージ電圧(インバータサージ電圧)下の次の2つの主課題について解決し,次世代パワーエレクトロニクス機器の速やかな実用化・普及に貢献することを目的とする。
(1) SiCパワー半導体でばいすのパッケージングの高電界・高温領域における絶縁システムの最適設計手法の確立,絶縁劣化メカニズムの解明に基づく絶縁劣化診断手法,耐電圧試験法,長期信頼性評価手法の確立を目的とする。
(2) SiCパワーデバイスの早期適用が期待されている電気自動車やハイブリッド自動車を対象として,次世代パワーデバイスを用いたインバータ機器や駆動系から発生するインバータサージおよびEMI(電磁障害)を評価・抑制する技術の確立を目的とする。
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