| 研究課題/領域番号 |
18350107
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
尾形 幸生 京都大学, エネルギー理工学・研究所, 教授 (30152375)
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| 研究分担者 |
作花 哲夫 京都大学, エネルギー理工学・研究所, 准教授 (10196206)
深見 一弘 京都大学, エネルギー理工学・研究所, 助教 (60452322)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| キーワード | 多孔質シリコン / 半導体多層膜 / 光学センサー / 陽極酸化 |
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| 研究概要 |
電気化学的にシリコン表面を多孔質化し、その多孔構造を正弦波的に変化させた多層構造(ルゲート型構造)を作製した。ルゲート型構造は光学フィルターとして働く。アルコール蒸気環境下において、多孔層内に物質が凝縮することにより多層構造の屈折率が変化する。この結果生じる反射光の波長変化をアルコール蒸気の検出に応用した。センシングを目的とする多層構造の構造最適化を図り、物質の検出濃度限界を明らかにした。
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