研究課題
基盤研究(B)
ナノスケール界面に独特の新しい物理概念の構築に成功し、従来の界面科学の常識を覆すことに成功した。具体的には従来の界面物理学で絶対的な極限と考えられていたショットキー極限が本当の極限ではないことを理論的に示し、さらに実験で実証した。また、金属シリサイドが形成の原子レベルの起源、歪んだGe層に生じる正孔の起源等も明らかにした。さらに、こうして得られたナノスケール界面の新概念を未来デバイスに応用することに成功した。
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PHYSICAL REVIEW B 76(15) : Art. No. 155436 OCT
APPLIED PHYSICS LETTERS 91(13) : Art. No. 132904 SEP
Jpn. J. Appl. Phys Part 2, 45
ページ: L1289-L1292
