研究課題
基盤研究(B)
CMOS集積回路開発のために、高誘電率絶縁膜とSi基板との間に極薄SiO_2膜を挟むトランジスターの積層ゲート絶縁膜構造が検討されている。高輝度の硬X線源と高分解能の光電子分光アナライザーを合わせ持つSPring-8のビームラインを利用して、Si2p光電子スペクトルとともに、これまで議論されてこなかったSi1s光電子スペクトルを測定することで、この中間極薄SiO_2膜の光学的誘電率がバルクSiO_2と異なることを定量的に明らかにした。
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