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昨年度までの実験を踏まえ、側面励起型Nd:GdxY1-xVO4増幅器を用いた超短パルス位相共役レーザーを開発した。増幅器の小信号利得は〜40倍を観測した。飽和強度はNd:GdVO4の約2倍程度であった。
これまでに、側面励起型Nd:GdxY1-xVO4増幅器と位相共役鏡を組み合わせた位相共役レーザーシステムにおいて平均出力16W、パルス幅く5psを達成した。ピークパワーは200kWに達した。
また、バナデート混晶の1.3μm帯における誘導放出断面積、飽和強度など主な物性を明らかにするために、Nd:GdxY1-xVO4結晶を取り上げ、受動Qスイッチ素子V:YAGを用いてレーザー特性を解析した。
その結果、通常のバナデートに比べはるかに良好なQスイッチ特性が見られた。特に、ピークパワーで2倍、最短パルス幅は40nsであった。パルス繰返し周波数は150kHzで安定なQスイッチ動作を示す。レーザー出力も6Wを超えることから、バナデート混晶が良好なレーザー結晶であることがわかった。
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