研究分担者 |
和田 修己 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10210973)
木本 恒暢 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80225078)
舟木 剛 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20263220)
薄 良彦 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40402961)
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研究概要 |
本研究は, SiC パワーデバイスの優位な特性の一つである高速スイッチング特性を生かす回路設計を検討すると同時に, そのパワー配線および大電流のスイッチングによって発生する電磁放射の問題等に, 実験的に検討を加えたものである. その結果, SiC デバイスの開発に合わせて物性物理に立脚したデバイスモデルを構築し, 高速スイッチングを実現するための駆動回路の開発を行い, SiC パワーデバイスの集積化に向けてパワー配線の設計およびそのEMC 特性と抑制に関する知見を得た.
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