光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長

2008 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 18360155
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2009
• キーワード: 電気・電子材料 / 光・電子集積回路

研究概要

良好な光素子の実現が可能な無転位ナイトライド系材料をSi基板上に成長すること、成長した無転位領域を利用して、ナイトライド系材料による光素子を作製することを目的とする。
そのため、(1) 有機金属原料を使用できるよう分子線結晶成長装置を改造し、(2) 低温での選択成長条件を導出し、(3) 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなう。

研究成果

• [雑誌論文] Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on(001)GaAs substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Ishida, T. Maruyama
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 1778-1782
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on(001)GaAs substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 310 ページ: 1571-1575
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaAs/c-GaN/GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama and S. Naritsuka
  • 雑誌名: Phys.Stat.sol. No.7 ページ: 2326-2329
  • 査読あり
• [学会発表] Effect of crystal orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on(001)GaAs substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida and Takahiro Maruyama
  • 学会等名: International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2008)
  • 発表場所: Vancouver,Canada
  • 年月日: 20080000
• [学会発表] Growth Optimization of Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy of GaAs layer on(001)GaAs substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, Y. Yamamoto and T. Maruyama
  • 学会等名: The 15th International Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Salt Lake City,Utah,USA
  • 年月日: 20070000