テラヘルツデバイスへ向けたストイキオメトリ制御高誘電率酸化物分子層堆積

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 18360309
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 小山 裕 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80169367)
• 連携研究者: 田邉 匡生 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10333840)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• キーワード: 高誘電率ゲート酸化膜 / テラヘルツトランジスタ / 分子層堆積 / ノンストイキオメトリ / 点欠陥

研究概要

1. 高比誘電率~100、低リーク電流密度10^<-5>A/cm^2、高絶縁破壊電圧0.5MV/cmのTiOxゲート絶縁膜を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
3. フォトキャパシタンス法によるTiOx及びSrTiOx絶縁膜中のノンストイキオメトリ欠陥電子準位を解明(一部論文発表及び新規論文準備中)

研究成果

• [雑誌論文] Defect aspects in ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junctions implemented with molecular layer epitaxy (2008)
  • 著者名/発表者名: Yutaka Oyama
  • 雑誌名: Journal of Physics and Chemistry of Solids Volume 69,Issues 2-3 ページ: 708-713
• [雑誌論文] Characteristics of electron beam-evaporated high k-TiOx thin films on n-GaAs (2007)
  • 著者名/発表者名: Yutaka Oyama, Takeo Ohno, Taiji Sato and Jun-ichi Nishizawa
  • 雑誌名: Physical Status Solidi(c)4 No.5 ページ: 1723-1726
• [学会発表] Aspects of Point Defects inTerahertz-Wave Spectroscory (2007)
  • 著者名/発表者名: Jun-ichi Nishizawa, Tetsuo Sasaki, Yutaka Oyama, Tadao Tanabe
  • 学会等名: International Conference on Defects in Semiconductors
  • 発表場所: アメリカ合衆国(Albuquerque,NM)
  • 年月日: 20070722-27
• [学会発表] MOCVD法によるn-Si上高誘電率TiOx薄膜の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小原芳洋、小山裕、田邉匡生、木村智之、西澤潤一、大野武雄
  • 学会等名: 第6回日本金属学会東北支部研究会
  • 発表場所: 弘前大学
  • 年月日: 2007-11-22
• [学会発表] 02雰囲気中の電子ビーム蒸着法によるn-GaAs上の高誘電率TiOx薄膜の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小原芳洋、小山裕、田邉匡生、木村智之、西澤潤一、大野武雄
  • 学会等名: 第140回日本金属学会
  • 発表場所: 千葉工業大学
  • 年月日: 2007-03-28
• [学会発表] O2雰囲気中の電子ビーム蒸着法によるn-GaAs上の高誘電率TiOx薄膜の評価 (2006)
  • 著者名/発表者名: 小原芳洋、小山裕、田邊匡生、西澤一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2006-12-07
• [学会発表] Characteristics of electron beam-evaporated high k-TiOx thin films on n-GaAs (2006)
  • 著者名/発表者名: Yutaka Oyama, Take Ohno, Taiji Sato, Jun-ichi Nishizawa
  • 学会等名: International symposium on compound semiconductors
  • 発表場所: カナダ(バンクーバー)
  • 年月日: 2006-08-17