| 研究概要 |
クロムカルコゲナイドの物性は組成比δに依存することがわかっていおり、Cr_<1-δ>Y (Y=S, Se)は転移点において構造相転移を起こす。また、帯磁率の測定からCrSとCrSeは転移点において半導体-金属転移がおこると言われている。Cr_<1-δ>Teについては状態密度が計算されている。本研究ではこの系の電子状態を明らかにし、カルコゲンの効果及び原子空孔の効果について調べるとともに、正・逆光電子分光実験から得られた状態密度を計算された状態密度と比較検討する。
これまでCr_<1-δ>Y (Y=S, Se)の占有状態におけるCr 3p-3d共鳴光電子分光実験を行い、価電子帯におけるCr 3d部分状態密度を調べた。この結果、Cr 3d部分状態密度はクロムサイトの空孔に依存しないことがわかった。そこで、本年度は非占有状態におけるCr 3p-3d共鳴逆光電子分光スペクトルを測定することにより、伝導帯におけるCr 3d部分状態密度の抽出を試みた。
CrSの単結晶をブリッジマン法で作成し、既に作成済みの試料(Cr_<1-δ>S, Cr_<1-δ>Se, Cr_<1-δ>Te)の逆光電子分光実験(IPES)を行い、解析途中である。CrSとCrSeの試料においては半導体-金属転移が報告されていることから、高分解能極低温光電子分光実験により低温相におけるフエルミ準位近傍の電子状態を調べて、高温相との違いを考察するために測定を継続して行っている。
これらの実験は広島大学放射光科学研究センターに設置された放射光ビームラインBL-9,BL-7およびIPES装置を使って行なった。
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