| 研究概要 |
2004年にBauerらによって発見されたCePt_3Siの超伝導は,結晶構造に空間反転対称性がなくてもスピン3重項の超伝導が実現しているかもしれないということで,それまでの超伝導に対する認識に新たな問題点を提起した.平成19度は反転対称性が破れた物質で発現する超伝導に関する詳細な研究を行うため,CePt_3Siの単結晶試料における詳細な比熱測定を行った.
比熱に現れる反強磁性転移と超伝導転移によるピークは,これまでの結果と比較し最もシャープであった.特に注目すべき点は超伝導状態における残留電子比熱係数γ_sが約34mJ/K^2molと多結晶試料(γ_s〜200mJ/K^2mol)に比べ非常に小さくなっており,試料の純良性の向上を示していると思われる.結晶構造に反転対称性を持たない重い電子系物質であるCePt_3Siは常圧下で,また同様に結晶反転対称性を持たないCeIrSi_3は圧力下で超伝導を示す.一方これらの物質と同じ結晶構造を持つ参照物質であるLaPt_3SiとLaIrSi_3も常圧で超伝導を示すことがわかっているが,その詳細は調べられていなかった.本研究ではこれらの超伝導特性を電気抵抗測定,比熱測定で調べた.電気抵抗測定から,LaIrSi_3の超伝導相図を決定した.この結果からLaIrSi_3は第2種超伝導体として理解できることがわかった.またフェルミ面の分裂による特異性はLaIrSi_3では観測されなかった.
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