研究課題
d波長伝導体とs波超伝導体を組み合わせたdドットと呼ぶ超伝導複合体間の相互作用が、そこで生じる半整数自発磁束によって距離や方向に依存する特異なものになることを明らかにし、それを利用して、dドットを配置することで新しい論理デバイスを構築できることをギンツブルグランダウ方程式を利用したシミュレーションで立証し、さらにその動作速度がピコ秒になり次世代の論理デバイスの候補になることを示した。d波超伝導体の微小超伝導体において、エネルギーギャップ内のオーダーパラメーターのノード方向の準粒子状態が、超伝導体内に閉じ込められる為に特異な変調構造を持つことを、ボゴリューボフドジャン方程式を解くことで示した。この結果は、変調を受けた準粒子状態が磁束間の相互作用を変化させ、磁場下での磁束構造に影響を及ぼすことを意味している。非対称な超伝導ネットワークにおいて、電流による磁束の運動に整流効果(ラチェット)があることを、1次元の有限要素法を用いたギンツブルグランダウ方程式のシミュレーションで示した。特に、交流電流をかけた場合には、転移点近傍では直流電圧が生じることを示した。この結果は、超伝導ネットワークの形状による、磁束の制御の可能性を示している。磁場下でのランダムな超伝導ネットワークにおける渦糸構造を調べ、磁場を増加した場合の磁化過程に特異な構造が生じることを示した。これは、多孔性の超伝導体のモデルとして考えており、特異な磁束構造は磁束のピン留めによる臨界電流の向上等の応用につながる。
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