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2008 年度 実績報告書

シリコン半導体薄膜およびナノ構造材料の極低温合成に関する基礎的研究

研究課題

研究課題/領域番号 18550014
研究機関山梨大学

研究代表者

佐藤 哲也  山梨大学, クリーンエネルギー研究センター, 准教授 (60252011)

研究分担者 中川 清和  山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
山中 淳二  山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
有元 圭介  山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (30345699)
キーワード水素原子 / 低速電子 / トンネル反応 / 飛行時間型質量分析計 / 電子銃 / 極低温 / 水素化アモルファスシリコン / アモルファスカーボン
研究概要

(1)収束電子ビームによりナノ材料を極低温で形成するための基礎研究を行った。低温に冷却した基板上に、Heで希釈されたモノシランを蒸着しながら、本課題で製作した低速電子銃を用いて電子ビームを照射し、照射電子の電流密度と製膜速度および水素含有量の相関を調べた。電子電流密度が低い場合には、水素含有濃度が〜30%と高くなりポリシラン的な薄膜が形成された。
(2)薄膜成長表面(サブサーフェイス)で形成されたナノシリコンをその場実時間するための分析法の開発に取り組んだ。代表者らがこれまでに開発した、反射飛行時間型質量分析計を改良し、質量数の大きなナノ粒子や水素化シリコンの構造解析を可能にするために、質量分解能を高めた。
(2)原料ガスにメタンを用いて炭素薄膜を極低温で合成した。化学結合や結晶性を水素化アモルファスシリコン薄膜の場合と比較し、表面反応素過程に関する基礎的な知見を得た。極低温で合成した水素化アモルファスシリコンの場合と比較して、結合水素濃度は数%と低く、光学バンドギャップが約1eVと小さいことが判った。

  • 研究成果

    (5件)

すべて 2009 2008 その他

すべて 学会発表 (3件) 備考 (2件)

  • [学会発表] メタン凝縮層の低速電子線衝撃による炭素薄膜の極低温合成(II)2009

    • 著者名/発表者名
      佐藤哲也
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] メタン凝縮層の低速電子線衝撃によるダイヤモンド状アモルファス炭素膜の極低温合成2008

    • 著者名/発表者名
      伊東佑将, 井草裕志, 小林憲明, 荒井哲司, 佐藤昇司, 佐藤哲也
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      20080902-0905
  • [学会発表] マイクロ波プラズマCVD法によるゲート酸化膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      平田真大
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
  • [備考]

    • URL

      http://erdb.yamanashi.ac.jp/rdb/A_DispInfo.Scholar?ID=1FB71E46743CE530

  • [備考]

    • URL

      http://chizai.yamanashi.ac.jp/Searoh/pdf/Center/1/05satou_tetsuya.pdf

URL: 

公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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