| 研究課題/領域番号 |
18550014
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物理化学
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
佐藤 哲也 山梨大学, クリーンエネルギー研究センター, 准教授 (60252011)
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| 研究分担者 |
中川 清和 山梨大学, クリーンエネルギ研究センター, 准教授 (40324181)
山中 淳二 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
有元 圭介 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (30345699)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| キーワード | トンネル反応 / 電子線誘起反応 / 極低温 / アモルファスシリコン / 放射線化学 |
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| 研究概要 |
低速電子線誘起反応と低温トンネル反応を利用して水素化アモルファスシリコン薄膜およびナノ構造材料を極低温で合成し、成長過程に関する基礎的知見を得た。モノシランやジシランを原料ガスに用いて40K~100Kの温度領域で製膜し、薄膜の水素含有量や光学定数(屈折率n, 消衰係数k)の温度依存性などを詳細に検討した。また、薄膜の表面分析および電気的特性評価を行った。
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