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平成19年度は、電極上にBPA用のMIP薄膜を形成させた修飾電極を作製し、電極と一体化させたBPAセンサの作製法について検討を行なった。MIP薄膜を修飾する電極として、平板上に金がスパッタされている、QCM電極を使用した。表面の金電極の一部だけが、液にさらされるように、電極周縁部をポリイミドで被覆した。この電極で、10μMのbisphenolAの顕著な酸化ピーク電流を測定することができた。さらに、MIP薄膜の作製は以下の方法で行なった。MIPは、BPAおよび4-vinylpyridine、EDMAをトルエンに溶解させMIPカクテルとした。これを電極上に滴下し、カバーガラスを被せ、紫外線照射による重合し、照射時間について検討した。さらに、薄膜化するため、MIPカクテルを電極上に滴下したのち、スピンコート処理を回転数1000rpmで行い紫外線重合した。重合後、ポリマーが乾燥するまで待ち、メタノールで鋳型分子や未反応の物質などを十分に洗浄して、MIP修飾電極を作製した。作製した修飾電極は、MIPによる修飾をAFMにより観察した。紫外線照射時間、2分および5分のものについて薄膜化するためにスピンコーティングをおこなった。これらについては、洗浄前は金の凹凸は観察されず、金粒子の谷をうめているのが認められた。また、これらを洗浄後には、洗浄前に比べて、凹凸がでてきており、未反応のものが除かれた結果、金の凹凸に近づいてはいたものの、金とは異なっていた。断面プロファイルを解析したところ、未修飾の金電極では、4°程度の平均傾斜角がMIPを重合すると小さくなり、MIPが金粒子の谷を埋めるように重合されており、これらを洗浄すると傾斜角は金のものに近づき薄膜が形成されていることが示唆された。MIP薄膜修飾した電極でもbisphenolAの酸化ピークが見られた。
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