ステップ構造制御基板を用いたパルス光照射結晶成長に関する研究

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 18560017
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 豊田工業大学
• 研究代表者: 大下 祥雄 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10329849)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• キーワード: 電子デバイス / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 結晶成長 / 太陽電池

研究概要

将来の高効率太陽電池実現のために必要な材料であるInGaNAs系材料の高品質化を目的として研究を行った.結晶成長中における表面反応の制御、具体的には、ステップ密度やステップ端原子などを制御する、あるいは、ガス供給の仕方の(断続供給など)や光照射による表面での成膜種の拡散を促進することが、結晶中の不純物濃度低減ならびに窒素起因の欠陥濃度の減少に有効であることが明らかになり、結晶の高品質化が可能となった.

研究成果

• [雑誌論文] Effects of residual carbon and hydrogen atoms on electrical property of GaAs Ngrown by chemical beam epitaxy (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Suzuki, K. Nishimura, K. Saito, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi
  • 雑誌名: Jpn, J.Appl. Phys 47巻 ページ: 6910-6913
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carbon reduction of in GaAsN thin films by flow-rate modulated chemical beamepitaxy (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Nishimura, H. Suzuki, K. Saito, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi
  • 雑誌名: 47巻 ページ: 2072-2075
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carbonincorporation process in GaAsN films grown by chemical beam epitaxy using MMH or DMH as N precursor (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Suzuki, K. Nishimura, H. S. Lee, Y. Ohshita, and M. Yamaguchi
  • 雑誌名: Thin Solid Films 515巻 ページ: 5008-5011
  • 査読あり
• [学会発表] Effect of surface steps on N incorporation processes of GaAsN films grown in chemical beam epitaxy (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Hashiguchi
  • 学会等名: Renewable energy 2008
  • 発表場所: Korea
  • 年月日: 2008-10-14
• [学会発表] Effects of residual carbon and hydrogen atom on electrical property of GaAsN grown by chemical beam epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Suzuki, K. Nishimura, T. Hashiguchi, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi
  • 学会等名: 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 年月日: 2007-12-04
• [学会発表] THE EFFECT OF RESIDUAL IMPURITIES ON ACCEPTOR CONCENTRATION IN GAASN FILMS GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Nishimura
  • 学会等名: 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 年月日: 2007-12-04