研究課題
基盤研究(C)
本研究の目的は近赤外(可視)と遠赤外(テラヘルツ)の二つの周波数域における1次元のフォトニック結晶構造を利用してテラヘルツ光発生の増強を行い、高輝度のテラヘルツ光源の開発につなげるというものである。この目的を達成するため以下に示すような研究を行った。1. 各種材料を用いたテラヘルツ帯域1次元フォトニック結晶の作製と透過特性評価自作のテラヘルツ時間領域分光系により表題構造の透過特性を評価した。フォトニック結晶に用いた材料はテラヘルツ光を透過できる半導体基板やポリマーフィルムであり、様々な組み合わせの構造を作製した。その結果、フォトニックバンドギャップや構造欠陥による光の局在モードなどの測定に成功した。2. 近-遠赤外1次元フォトニック結晶によるテラヘルツ波発生の増強非線形光学結晶ZnTeを含むテラヘルツ帯フォトニック結晶からのテラヘルツ発生実験を行った。その際、入射近赤外(可視)域に対する反射防止膜を各層に塗布することで入射光の減衰を抑制した結果、単なる裸のZnTeよりも数倍高強度のテラヘルツ光の発生に成功した。3. GaNAs超格子構造の光学特性新規のテラヘルツ発生用光伝導スイッチ用材料の探索の意味も込めてGaNAs系量子構造に着目した。作製は本グループ独自の技術である窒素ラジカル変調制御MBE法により行った。本研究期間においてはテラヘルツ特性の研究にいたる前に通常の光学特性を調査した。
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