研究課題
基盤研究(C)
分子スケールでのめっきの新しいシミュレーション法として分子動力学法とモンテカルロ法を統合した方法を開発し、表面処理分野に必要なめっきのシミュレーションシステムを構築した。このシステムを用いて、溶液中の添加剤の作用を解析し、添加剤の平滑作用と孔埋め込みへの影響について多くの知見を得た。さらに、めっきによるLSI配線作成の動的モンテカルロ計算のプログラムを開発し、欠陥を含まない配線作成に最適な添加剤の条件の探索を可能とした。
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すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (7件)
ECS Transaction-Honolulu HI Vol.16
Journal of Korean Physical Society Vol.54, No.3
ページ: 1207-1211
ECS Transaction-Phoenix AZ Vol.13 No.12
ページ: 1-9