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2008 年度 研究成果報告書

シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

研究課題

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研究課題/領域番号 18560274
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電力工学・電気機器工学
研究機関山梨大学

研究代表者

矢野 浩司  山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (90252014)

連携研究者 田中 保宣  産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 主任研究員 (20357453)
八尾 勉   (10399503)
研究期間 (年度) 2006 – 2008
キーワードパワーデバイス / シリコンカーバイド / ワイドバンドギャップ / 静電誘導トランジスタ
研究概要

我々は次世代省エネデバイスとして期待されている超低損失の炭化ケイ素静電誘導トランジスタを開発してきた。本研究では同デバイスの限界性能を明らかにする為に、スイッチング時間および負荷短絡耐量を評価した。その結果、ターンオン時間30ns、ターンオフ時間は80nsを実現した。またDC-DC コンバータの実機試験を行い、周波数100kHz, 電源電圧400V, 電流値4.3A, デューティー比50%の条件で行い安定な動作を確認できた。さらに30μs 間の負荷短絡状態で3500A/cm2 の電流値を保証できた。これらの性能は同定格のSi-IGBT よりも大きく、今後のSiC パワーデバイスの研究開発において意義深い結果である。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (2件)

  • [雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009

    • 著者名/発表者名
      K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, M.Okamoto, and K. Arai
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      ページ: 1075-1078

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Tanaka, K.Yano, M.Okamoto, A.Tanaka, K.Arai, and T.Yatsuo
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      ページ: 1071-1074

    • 査読あり
  • [学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters, European Silicon Carbide and Related Matterials2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Tanaka, K.Yano, A.Takatsuka, K.Arai, and T.Yatsuo
    • 学会等名
      Barcelona
    • 年月日
      2008-09-10
  • [学会発表] AraiShort circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008

    • 著者名/発表者名
      K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, and K.
    • 学会等名
      European Silicon Carbide and Related Matterials
    • 年月日
      2008-09-09

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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