| 研究概要 |
多様なシリサイド半導体結晶の成長を行い、構造的、電気的性質を評価するとともに温度差発電素子を試作した。
Mg_2Si/Si基板上に成長させたSr_2Si薄膜の構造を明らかにした。また単相成長させたCa_5Si_3,Sr_5Si_3粉末結晶の伝導現象を評価した。これらの結晶はp形である事が分かった。またSr_5Si_3結晶は擬ギャップ材料であるという計算結果も得られ熱電材料への応用も考えられる。
バルクSi及びSiGe混晶をMg雰囲気中で熱処理する事により得られたMg_2Si_<1-x>Ge_x膜の構造を明らかにした。またバルクSi及びSiGe粉末をMg雰囲気中で熱処理する事によりMg_2Si_<1-x>Ge_x粉末を作製した、さらにMg_2Si粉末及びMg_2Ge粉末よりプラズマ焼結によりMg_2Si_<1-x>Ge_xバルク結晶を作製し、構造及び熱電特性を明らかにした。
Mg_2Si粉末をCa雰囲気中で熱処理する事によりCa_2Si粉末を生成した。これらの焼結体をつくる事により熱電素子を作製した。また、溶融塩法により得られたb-FeSi_2を用いてb-FeSi_2/Mg_2Si熱電発電素子及びb-FeSi_2/FeSi熱電発電素子の構造を改良し中温領域において使用可能な素子を試作した。
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