• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2006 年度 実績報告書

GeTeべース強磁性半導体を用いたp-n-p構造を有するスピンデバイスの研究

研究課題

研究課題/領域番号 18560306
研究種目

基盤研究(C)

研究機関山口大学

研究代表者

浅田 裕法  山口大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 (70201887)

研究分担者 小柳 剛  山口大学, 大学院理工学研究科, 教授 (90178385)
仙波 伸也  宇部工業高等専門学校, 助教授 (40342555)
キーワードスピンエレクトロニクス / 機能デバイス / 希薄磁性半導体 / IV-VI族半導体 / 強磁性半導体
研究概要

本年度は超高真空蒸着法を用いたGeTeべース強磁性半導体の合成、および、これを強磁性層としたトンネル磁気接合素子の作製について検討を行なった。
1.MBE法によるGeTeべ一ス希薄磁性半導体の合成
Ge_<1-x>Mn_xTeについてはトンネル接合において重要な平坦性の向上の観点から条件の最適化を行い、基板温度200〜250℃、Te/Mn供給比8〜12において良好な薄膜を得た。またMn濃度0.8までの試料の合成を行なうことができた。Ge_<1-x>Cr_xTeについては、SrF_2基板について検討した結果、平坦性の向上がみられた。
2.トンネル磁気接合素子の作製と評価
クラスタイオンビーム法によるCdS障壁層を有するトンネル磁気接合素子についてさらに検討を行なった。しかしながらトンネル磁気効果は得られなかった。そこで、SrF_2障壁層を有するトンネル磁気接合素子の作製をクラスタイオンビームおよび超高真空蒸着法により行なった。その結果、非線形のI-V特性は得られたもののトンネル磁気効果は得られなかった。TEM観察を行なったところ、SrF_2障壁層へのMnの拡散がみられた。
3.ZnTe障壁層の成長
n型半導体障壁層としてZnTeについて超高真空蒸着法による成長を行い、成長条件について検討した。その結果、RHEED像においてストリークパターンが得られ、良好な単結晶膜の成長が可能となった。また、Ge_<1-x>Mn_xTeを強磁性層としたトンネル磁気接合の成長を行い、積層膜成長後のRHEED像もストリークであることを確認した。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2006

すべて 雑誌論文 (2件)

  • [雑誌論文] Ferromagnetism in Ge_<1-x>Cr_xTe epilayers grown by molecukar beam epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Fukuma
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89・15

      ページ: 152506

  • [雑誌論文] Growth and magnetic properties of IV-VI diluted magnetic semiconductor Ge_<1-x>Cr_xTe2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Fukuma
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 99・8

      ページ: 08D508

URL: 

公開日: 2008-05-08   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi