新材料及び新構造MOSFETの準バリスティック量子輸送モデリングに関する研究

2008 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 18560334
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 神戸大学
• 研究代表者: 土屋 英昭 神戸大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80252790)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2009
• キーワード: 電子デバイス・集積回路

研究概要

本研究では、高度情報処理社会を支える半導体集積回路を構成するMOSFETの性能向上を実現することを目的として、新材料及び新構造を導入した新しいMOSFETの研究を行っている。

研究成果

• [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Silicon Nanowire Transistors Based on DirectSolution Approach of the Wigner Transport Equation, to be published in IEEE Trans. On (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamada, H.Tsuchiya and M.Ogawa
  • 雑誌名: Electron Devices Vol.56, No.7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Effects on Electronic Bandstructures in Nanoscaled Silicon : From Bulk to Nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Maegawa, T.Yamauchi, T.Hara, H.Tsuchiya and M. Ogawa
  • 雑誌名: IEEE Trans. on Electron Devices on Electron Devices Vol.56, No.4, ページ: 553-559
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of Elastic and Inelastic Phonon Scattering on the Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Tsuchiya and S.Takagi
  • 雑誌名: IEEE Trans. On Electron Devices Vol.55, No.9 ページ: 2397-2402
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomistic Study on Electronic Properties of Nanoscale SOI Channels (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Hara, Y.Yamada, T.Maegawa and H.Tsuchiya
  • 雑誌名: J.Physics : Conference Series, Physics : Conference Series Vol.109,012012
  • 査読あり
• [雑誌論文] Drive Current of Ultrathin Ge-on-Insulatorn-Channel MOSFETs (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Azuma, T.Mori and H.Tsuchiya
  • 雑誌名: Phys.Stat.Sol. (c) Vol.5, No.9 ページ: 3153-3155
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comparative Study on Drive Currentof III-V Semiconductor, Ge and Si Channeln-MOSFETs based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2008)
  • 著者名/発表者名: T Mori, Y.Azuma, H.Tsuchiya and T.Miyoshi
  • 雑誌名: IEEE Trans. On Nanotechnology Nanotechnology Vol.7, No.2, ページ: 237-241
  • 査読あり
• [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs, IEEE Trans (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Tsuchiya, K.Fujii, T.Mori and T.Miyoshi
  • 雑誌名: on Electron Devices, Vol.53, No.12, ページ: 2965-2971
  • 査読あり
• [学会発表] 高移動度チャネルMOS トランジスタの性能予測シミュレ-ション(招待講演) (2009)
  • 著者名/発表者名: 土屋英昭, 前中章宏, 森隆志, 東祐介
  • 学会等名: 応用物理学会ゲ-トスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  • 年月日: 2009-01-23
• [学会発表] Three-Dimensional Quantum TransportSimulation of Si-Nanowire Transistors Basedon Wigner Function Model (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamada and H.Tsuchiya
  • 学会等名: Extended Abstracts of the 2008 International Conferenceon Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
  • 年月日: 20080909-11
• [学会発表] シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレ-ション (2008)
  • 著者名/発表者名: 山田吉宏, 土屋英昭, 小川真人,
  • 学会等名: 応用物理学会分科会シリコンテクノロジ-
  • 発表場所: 機械振興会館(東京)
  • 年月日: 2008-11-14
• [学会発表] 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 前川忠史, 山内恒毅, 原孟史, 土屋英昭, 小川真人
  • 学会等名: 応用物理学会分科会 シリコンテクノロジ-
  • 発表場所: 機械振興会館(東京)
  • 年月日: 2008-11-14
• [学会発表] Influences of Elastic and Inelastic Scatterings on Ballistic Transport in MOSFETs (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Tsuchiya and S.Takagi
  • 学会等名: Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM07)
  • 年月日: 20070919-21
• [学会発表] On the Performance Limits of Emerging Nano-MOS Transistors : ASimulation Study (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Tsuchiya, K.Fujii, T.Mori, Y.Azuma, K.Okuda and T.Miyoshi
  • 学会等名: Proceedings of 2007 7th IEEE Int'l Conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO2007)
  • 発表場所: Hong Kong
  • 年月日: 20070802-05
• [図書] ナノエレクトロニクスの基礎 (2007)
  • 著者名/発表者名: 三好旦六、小川真人、土屋英昭
  • 総ページ数: 261
  • 出版者: 培風館