研究課題
基盤研究(C)
ナノインプリントの原理を追求し、特に小型のUVナノインプリント装置を開発し特許取得まで行い、産学連携により開発した装置は製品化まで繋がった。ナノインプリントの、要素技術の中で重要なモールドについては、産学連携によって形状及び洗浄方法の技術を確立することができた。さらに、モールドに必要な離型剤の処理方法については、独自の離型剤処理治具を設計製作し、十分に使用可能であることを確認した。上記のUVナノインプリント装置を使い、80nmのline/space及び200nm以下のdotsパターンの転写に成功した。転写後に次ぎのプロセスに移行する際に問題となる、残膜についても10nm以下に抑えることが可能となった。UVインプリント樹脂については、産学連携によってメッキ液及びドライエッチングにも耐性がある樹脂剤を樹脂メーカと共同で開発した。上記の技術を総合し、UVインプリント技術を使い、パターンドメディア応用への技術の確立を行い、産学連携によって企業の研究所と高効率発光のLEDの開発を行った。作製したナノサイズパターンにSn-Cuのメッキを埋め込むことに成功し、Sn-Cuめっき膜の結晶粒径、結晶構造を制御できるめっき条件の検討を行い、結晶粒径、結晶構造はウイスカ-発生にも影響を与えることがわかった。ナノサイズパターンについてはCo系合金、Cuのメッキも埋め込むことに成功した。
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