2008 年度研究成果報告書

二ホウ素化マグネシウム超伝導体のピン止め機構解明

研究課題

研究課題/領域番号	18560647
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	金属物性
研究機関	鹿児島大学
研究代表者	土井俊哉鹿児島大学, 工学部, 准教授 (30315395)
研究期間 (年度)	2006 – 2008
キーワード	超伝導 / ピン止め / 二ホウ化マグネシウム / 量子化磁束線 / 臨界電流密度
研究概要	本研究では実用化が期待されていながらも、超伝導体にとって最も基本的で重要な特性である臨界電流密度J_c(電気抵抗ゼロで流すことができる電流密度の上限値)が低いMgB_2超伝導体について、J_cを支配する主たる要因であるピン止め機構を明らかにすることを目的に研究を行ない、Mg不足組成に伴って発生する点欠陥、1nm厚のNi層、5nm厚のB層が非常に有効なピン止め物であることを発見した。また、ピン止めされるべき対象である量子化磁束線が過不足なくピン止め物に捕らえられた時に最も高いピン止め力が得られることを明らかにした。