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2008 年度 実績報告書

SOQ基板を何にどう使うか?

研究課題

研究課題/領域番号 18560679
研究機関東洋大学

研究代表者

花尻 達郎  東洋大学, 工学部, 教授 (30266994)

研究分担者 鳥谷部 達  東洋大学, 工学部, 教授 (20266993)
柏木 邦宏  東洋大学, 工学部, 教授 (30058094)
キーワードSOI基板 / SOQ基板 / SIMOX基板 / BOX(Buried Oxide) / キャリア捕獲中心 / SOI MOSFET / SOQ MOSFET
研究概要

最終年度にあたっては、SOQ基板(silicon on quartz)の応用分野としてエレクトロニクスに留まらずμ-TAS(micro-total-analysis system)のプラットフォームとしての有用性について、検証を行なった。具体的には、分析機能まで含んだセルソーターのオール・イン・ワン化のためにはSOQ基板が非常に有望なプラットフォームであることを提案し、そのための基礎的な実験的検証を行なった。近年,再生医療研究や創薬活動において,特定の細胞(セル)を分取して培養する,あるいは単一の細胞に特定の分子を導入,観察して薬剤の挙動を分析するなどの研究が盛んに行われている。例えば、ある細胞に対する特定の分子の影響を評価する場合には、各臓器培養細胞ライブラリーを作成し、これらの培養細胞を分離・精製して品質を管理したり、物質投与後の各細胞を分別して状態を観察したりすることが必要になり、このような細胞の分別には、現在、フローサイトメトリーもしくはセルソーターが用いられているが、システム全体としてはポータブルなものにはまだ程遠く、価格も数千万円オーダーと非常に高い。それを解決するために、SOQ基板の準備段階としてガラス基板上にンチップ・セルソーターを用いて細胞の反応量とゼータ電位との相関を極めて定量的に評価する方法を開発することに成功した。その一方でエレクトロニクス分野においても、もっとも代表的な半導体デバイスであ
るMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor)の基板として現行のSi基板や、ポストSi基板の最有力であるSOI(silicon on insulator)基板を用いるよりもSOQ基板を用いた方がデバイス特性が向上することをデバイスシミュレーションおよび実験により検証することに成功した。

  • 研究成果

    (15件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (9件)

  • [雑誌論文] Detection of surface immunoreactions on individual cells by electrophoretic mobility measurement in a micro-channel2008

    • 著者名/発表者名
      A. AKI, Y. NIHEI, H. ASAI, T. UKAI. H. MORIMOTO, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIR I, T. MAEKAWA
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators B : Chemical 131

      ページ: 285-289

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultraviolet irradiation effects on and depth profiles in X-ray photoelectron spectra of poly(vinylpyridine) thin fiIms2008

    • 著者名/発表者名
      S. NISHIYAMA, M. TAJIMA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIR I, Y. YOSHIDA
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 432-437

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      K. KAJIWARA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI. T. TOYABE, T. SUGANO
    • 雑誌名

      IEEE trans. Electron Devices 55

      ページ: 1702-1707

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Three dimensional image construetion and spectrum extraction from two dimensional elemental mapping in Auger eleetron spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      N. URUSHIHARA, S. IIDA, N. SANADA, M. SUZUKI, D. F. PAUL, S. BRYAN, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, K. KAKUSHIMA, P. AHMET, K. TSUTSUI, H. IWAI
    • 雑誌名

      ournal of Vacuum Science & Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 26

      ページ: 668-672

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Drive current enhancement in silicon on quartz MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y. NAKAJIMA, K. SASAKI, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Lett. 29

      ページ: 944-945

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Capture of nonmagnetic particles and living cell using a microelectromagnetic system2008

    • 著者名/発表者名
      A. AKI, O. ITO, H. MORIMOTO, Y. NAGAOKA, Y. NAKAJIMA, T. MIZUKI, T. HANAJIRI, R. USAMI, T. MAEKAWA
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 104

      ページ: 094509-094513

    • 査読あり
  • [学会発表] ケルビンフォース顕微鏡を用いた電気的非標識免疫測定2009

    • 著者名/発表者名
      山下 滋, 沼田慎吉, 安喜敦士, 東海林崇, 中島義賢, 前川 透, 花尻達郎
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] ゲート酸化膜のトラップがSOI MOSFETトンネル電流に与える影響の評価2009

    • 著者名/発表者名
      戸田貴大, 中島義賢, 花尻達郎, 島谷部達, 菅野卓雄
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers2009

    • 著者名/発表者名
      Y. NAKAJIMA, T. TODA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
    • 学会等名
      Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
    • 発表場所
      Aahen, Germany
    • 年月日
      2009-03-18
  • [学会発表] Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers2009

    • 著者名/発表者名
      S. ABE, Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
    • 学会等名
      Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
    • 発表場所
      Aahen, Germany
    • 年月日
      2009-03-18
  • [学会発表] Improvement of performance of Drain-Source-On-Insulator MOSFETs by using heavily doped-Si region between local BOX regions2009

    • 著者名/発表者名
      T. YAMADA, Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
    • 学会等名
      Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
    • 発表場所
      Aahen, Germany
    • 年月日
      2009-03-18
  • [学会発表] 局所BOX間高不純物ドーピングによるDSOI MOSFETの特性改善2008

    • 著者名/発表者名
      山田辰哉、宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、鳥谷部達、菅野卓雄
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会予稿集
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] BOX比誘電率およびBOX膜厚制御によるDIBLの抑制効果2008

    • 著者名/発表者名
      阿部俊平、宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、鳥谷部達、菅野卓雄
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会予稿集
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] Synthesis of carbon-nickel composite by photolytic dissociation of nickelocene under a dc electric field in near-critical carbon dioxide"2008

    • 著者名/発表者名
      T. HASUMURA, T. FUKUDA, N. RANTONEN, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, R. WHITBY, T. MAEKAWA
    • 学会等名
      Proc. of Int. Conf. Nanotechnology in Carbon and Related Materials
    • 発表場所
      Brighton Univ. U. K.
    • 年月日
      2008-08-08
  • [学会発表] Modulation of electron transport in SWCNTs by PLT conjugation"2008

    • 著者名/発表者名
      T. HIGASHI, Y. NAKAJIMA, M. KOJIMA, K. ISHII, T. HANAJIRI, A. IOUE, T. MAEKAWA
    • 学会等名
      Proc. of Int. Conf. Nanotechnology in Carbon and Related Materials
    • 発表場所
      Brighton Univ. U. K.
    • 年月日
      2008-08-08

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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