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『らせん構造の誘起と動的反転制御およびその記憶化』は、錯体化学的な興味のみならず、メモリーや光学材料、液晶材料など新規情報変換分子デバイスへの応用を指向した新たなキラルテクノロジーとして期待できる。
本研究では、研究代表者が独自に開発したアミド基含有光学活性4座配位子を用いて、遷移金属錯体の配位特性を活用し、金属イオンまわりでの立体選択的なヘリシティーの誘起と反転現象を基点として、ペプチドらせんへのヘリシティー情報の伝達と増幅を行い、さらに中心金属イオンのレドックスを利用したらせん構造の『記憶化』を目指す。
本年度には、らせん反転制御に重要な役割を担う遷移金属錯体部位の可逆的な不活性化と活性化を目指して、基本骨格の検討を行うとともに、ペプチドらせん構造の誘起と反転制御について重点的に検討を行った。
(1)錯体らせん構造の記憶化条件の検討
N202配位骨格をもつキラル4座配位子を用いて、金属中心を置換活性なコバルト(II)やクロム(IIと、置換不活性なコバルト(III)やクロム(IIIの電気化学的または化学的なレドックスを活用して、金属中心の立体化学の可逆的な固定化と柔軟化の変換を図り、錯体らせん情報の『記憶化』条件を検討した。
(2)配位立体化学を活用したペプチドらせんの誘起と反転制御
ペプチド鎖を末端にもつ配位子を合成し、置換活性な金属イオンとの錯体化を行った。金属中心の立体選択的なヘリシティー情報をペプチド鎖に伝搬し、らせん構造の誘起および増幅に成功した。さらに、ペプチドらせんの向きをアニオン刺激によりコントロールすることにも成功をおさめた。
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