研究課題
本年度の目的は、埋め込みゲート縦型トランジスタの静的デバイス特性に対するデバイス設計理論を確立することである。これらの多岐にわたるデバイス設計パラメータと種々のデバイス特性・デバイスサイズに対する相関関係を効率よく解明するために、初年度に取得した当該デバイス特性の基礎データに基づき、研究探査の方針を決定した。前年度に確立したモンテカルロデバイスシミュレーションシステムを用いて、本提案の埋め込みゲート縦型トランジスタのトランジスタ特性、特に静的動作時における特性とデバイスサイズに関するデータベースを構築した。具体的には、各種デバイス設計パラメータに対する埋め込みゲート縦型トランジスタのしきい値、Sファクタ、駆動電流、カットオフリーク電流などの基本的なデバイス特性の依存性を定量的に解析した。次に、このデータベースを用いて、埋め込みゲート縦型トランジスタのデバイス特性を向上させるために要求される各種のデバイス設計パラメータの相互関係を定量的に明らかにした。さらに、デバイスサイズの微細化に要求される各種のデバイス設計パラメータの縮小率も併せて定量的に明らかにした。上記の結果を総合的に分析・解析することによって、静的特性(DC特性)における埋め込みゲート縦型トランジスタによる性能向上の効果と負荷削減の効果を定量的に解析し、静的動作における当該デバイスの設計理論を提案した。また、あわせて、埋め込みゲート縦型トランジスタのレイアウト技術も構築した。
すべて 2007
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Japanese Journal of Applied Physics Vol.46, No.5B
ページ: 3189-3192
