ナノ構造磁性体の電気磁気特性測定を目指し、プローバシステムの立ち上げを行った。逆スピンホール効果の定量及び逆スピンホール効果を用いたナノ磁性体中のスピン流測定を行うため、Pt・Pdと強磁性NiFeとの複合細線構造、NiFeナノ細線を乗せたLSMワイアー構造、磁壁共鳴によるスピン流・電流生成を調べるためのNiFe/LSM/NiFeセミリング構造、及び閉じた超スピン流を生成することが可能な強磁性NiFeリング構造を電子線リソグラフィーを用いたリフトオフ法及びエッチング法により作成した。これらの試料ついて、(1)磁場とマイクロ波を照射することでスピンポンピングを駆動しつつ試料端の電位差の測定、(2)LSMに電流を流しスピンホール効果によるスピン流生成を行いながらの強磁性共鳴測定の2種類の実験を系統的に行った。その結果、NiFe及びNiにおいてスピンポンプによる横起電力信号を測定し、これが逆スピンホール効果によるものであることを明らかにした。この成果は、強磁性系における逆スピンホール効果のはじめての観測である。更に、Ni/NiFe異種強磁性界面のスピンポンピングによる縦電圧を調べることにより、スピン依存伝導度に起因したスピン流電流変換の検出に成功し、このデータを解析することでスピンポンプによるスピンバイアスの定量を行った。
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