2008 年度研究成果報告書

窒化ガリウム用電極開発を行うための金属/窒化ガリウム界面の電位分布直視技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号	18686051
研究種目	若手研究(A)
配分区分	補助金
研究分野	金属物性
研究機関	財団法人ファインセラミックスセンター
研究代表者	加藤丈晴財団法人ファインセラミックスセンター, ナノ構造研究所, 主任研究員 (90399600)
研究期間 (年度)	2006 – 2008
キーワード	電子線ホログラフィー / ショットキー障壁 / 電位分布 / 金属 / 半導体界面 / FIB
研究概要	金属/半導体界面の電位分布を電子線ホログラフィーにより解析するためのTEM試料作製技術を確立した。この技術により作製されたTEM試料の金属/半導体界面に電圧を印加するため、電極位置を正確に制御できるピエゾ駆動のTEMホルダーを用いた。このホルダーにより局所領域における金属/半導体界面の電流-電圧曲線を計測した。さらに、金属電極/半導体界面に順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。