| 研究課題/領域番号 |
18H01154
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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| 研究機関 | 関西学院大学 |
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研究代表者 |
若林 克法 関西学院大学, 理工学部, 教授 (50325156)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 原子膜物質 / トポロジカル物質 / グラフェン / 物性理論 / 計算物理学 / トポロジー / ナノエレクトロニクス / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンや遷移金属カルコゲナイド系物質などの系の厚さが一原子層である原子膜物質では、エッジや表面などの境界面の効果によって、特異な電子物性が発現する。本研究課題では、電荷・スピンに次ぐ、第三の自由度であるバレーの状態に着目した電子物性の光学制御に関する理論、ベリー接続に着目したトポロジカル物質の設計指針に関する理論提案を行った。さらに、フォトニック結晶への展開をすることで、実験グループに新たなデバイス設計指針を提示した。本研究課題の成果によって、原子膜エレクトロニクスデバイスの物理の基礎学理の発展だけでなく、新たなトポロジカル物質やデバイス設計への展開をもたらすものと期待される。
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| 自由記述の分野 |
ナノサイエンス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
現代の高度情報化社会を支える電子デバイスは、電子のもつ電荷の自由度を制御することで、情報の伝達・処理を行っている。本研究課題では、グラフェンや遷移金属カルコゲナイド系物質などの系の厚さが一原子層である原子膜物質に着目し、電荷・スピンに次ぐ、第三の自由度であるバレーの状態に着目した電子物性の光学制御、ベリー接続に着目したトポロジカル物質やデバイスの設計指針の提案を行った。本研究課題の成果によって、原子膜エレクトロニクスデバイスの物理の基礎学理の発展だけでなく、新たなトポロジカル物質やデバイス設計への展開が今後期待できる．
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